電子信息行業(yè)作為新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛，其產(chǎn)值達(dá)萬(wàn)億元上電子行業(yè)與純凈水關(guān)系密切，而且同步發(fā)展，電子產(chǎn)品的質(zhì)量要求越高，要求水質(zhì)的純凈程度越高。20世紀(jì)50年代末，電子管風(fēng)行和半導(dǎo)體在國(guó)內(nèi)剛浮現(xiàn)之時(shí)，制取對(duì)保證產(chǎn)品質(zhì)量是重要環(huán)節(jié)，到80年代末制訂的標(biāo)準(zhǔn)，代表了我國(guó)純水制備的水平。
國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB11446－1989《電子級(jí)水》將純凈水劃分為五級(jí)，一級(jí)水電阻率應(yīng)達(dá)18MΩ·cm，亦即電導(dǎo)率為0.056礢/cm；二級(jí)水電阻率15 MΩ·cm，電導(dǎo)率為0.067礢/cm；三級(jí)水電阻率10 MΩ·cm，電導(dǎo)率為0.1礢/cm；四級(jí)水電阻率≥2 MΩ·cm，電導(dǎo)率為≤0.5礢/cm；五級(jí)水電阻率≥0.5 MΩ·cm，電導(dǎo)率為≤2礢/cm。
除了通用而便于測(cè)量的電阻（導(dǎo)）率指標(biāo)外，還對(duì)五個(gè)級(jí)別的水規(guī)定了不同粒徑的微粒數(shù)，xj個(gè)數(shù)。還規(guī)定了總有機(jī)碳（TOC）、二氧化硅、氯離子、鈣、鉀、鈉、鋅、鐵、銅等的含量。
在電子元器件生產(chǎn)工藝中，除了對(duì)空氣凈化外，對(duì)操作環(huán)境和產(chǎn)品都要不斷進(jìn)行清洗。早期使用氟氯烴之類溶劑甚多，自為保護(hù)臭氧層限制和禁止破壞臭氧層物質(zhì)的使用與排放以來(lái)，純凈水沖洗成了主要替代工藝，其使用量迅速增長(zhǎng)的同時(shí)，對(duì)水的質(zhì)量要求也不斷提高，從而促進(jìn)了純水制備技術(shù)的發(fā)展。
為滿足《電子級(jí)水》中一級(jí)水和二級(jí)水的質(zhì)量要求，除了進(jìn)行水的深度去離子處理外，還必須去除水中膠體物質(zhì)（含有機(jī)物與膠體硅）、病毒和xj。
使用地下水或城市自來(lái)水為原水，可以省去預(yù)處理設(shè)備，而直接使用高效過(guò)濾器與活性炭過(guò)濾器原水作初步凈化。
微濾和超濾可以有效地除去水中顆粒物與膠體物質(zhì)，滿足GB11446－1989《電子級(jí)水》對(duì)一、二級(jí)水顆粒物、xj和總有機(jī)碳（TOC）的要求。
與混床的配合可以滿足《電子級(jí)水》對(duì)電導(dǎo)率的要求。例如某系統(tǒng)的反滲透裝置之后設(shè)置了兩級(jí)混合床離子交換器。其出水質(zhì)量為，反滲透器出口水電導(dǎo)率5.6～8.1礢/cm；一級(jí)混合床出口水電導(dǎo)率0.09～0.12礢/cm，二氧化硅10礸/L；二級(jí)混合床出口水電導(dǎo)率（水溫18℃）0.045～0.053礢/cm，二氧化硅3.6～5礸/L。
在膜過(guò)濾之后布置反滲透裝置與電去離子深度脫鹽系統(tǒng)，同樣可以滿足上述水質(zhì)的電導(dǎo)率水平。多級(jí)的膜處理可以確保產(chǎn)品水無(wú)顆粒物，這對(duì)電子產(chǎn)品來(lái)說(shuō)是重要的?？梢灶A(yù)見(jiàn)，在電子行業(yè)中這種純水制備系統(tǒng)將有廣闊的發(fā)展天地。
《電子級(jí)水》規(guī)定的三級(jí)水使用化學(xué)除鹽設(shè)備雖然能勉強(qiáng)使產(chǎn)品水電導(dǎo)率合格，但是難以保證膠體物質(zhì)及顆粒物質(zhì)合格。比較可靠的仍然是采取膜法處理，方能使水質(zhì)全面達(dá)標(biāo)。
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