廣告
晶體片的研磨工序，是將切割好的晶體片進(jìn)行再加工的一道工序，是包管晶體片制備質(zhì)量的主要環(huán)節(jié)。此工序在加工晶體片的進(jìn)程中，針對(duì)不一樣的晶體，有時(shí)要采用粗磨和精磨二道工序。為什么要如許做呢？這是由于，研磨晶體片時(shí)，研磨機(jī)的轉(zhuǎn)數(shù)、壓力和研磨料料的顆粒度的巨細(xì)的選擇，對(duì)研磨結(jié)果是有著直接關(guān)系的。
磨料顆粒度的巨細(xì)與研磨盤的速度（在壓力必然的狀況下）成正比，與研磨質(zhì)量成反比。這就是說磨料的顆粒度大，對(duì)晶體片的磨削速度就快，也就是去層率高。但因?yàn)槟チ系念w粒度大，就會(huì)對(duì)晶體片外表形成一致顆粒度巨細(xì)的機(jī)械毀傷層，晶體片外表粗拙質(zhì)量下降。反之，我們選擇小顆粒度的磨料，晶體片外表質(zhì)量因其顆粒度小而獲得改善。但晶體片的磨削量就會(huì)下降，去層率低。
要獲得好的晶體片的片的質(zhì)量，又能進(jìn)步出產(chǎn)效率，就必需選擇恰當(dāng)?shù)哪チ稀⒑侠淼难心?。如許，就發(fā)生了粗磨和精磨二道工序的概念。粗磨工序時(shí)，選擇合理的、較大顆粒的磨料，進(jìn)步對(duì)晶體片的磨削速度，添加去層率是首要目標(biāo)。精磨工序時(shí)，合理地選擇較小顆粒的磨料，進(jìn)步對(duì)晶體片的外表改善，為拋光工序做預(yù)備，是這一工序的首要目標(biāo)。3M研磨材料的粗磨和精磨要在兩個(gè)設(shè)備上隔離操作完成，以防磨料互相傳染，這是要嚴(yán)厲執(zhí)行的。
