一、 自動化生產(chǎn)線

(一) 自動化生產(chǎn)線的界說：

按必定技能次序擺放的若干臺主動機床，用工件傳送設(shè)備和操控體系聯(lián)合起來，依照規(guī)則的出產(chǎn)節(jié)拍，工件主動地順次經(jīng)過各個加工工位進行主動加工的接連作業(yè)線。

(二) 自動化生產(chǎn)線的構(gòu)成：

主動化出產(chǎn)線由主動機床，傳送體系，操控體系等有些組成。其間，噴漆流水線,成型硫化爐,噴漆設(shè)備,主動線的工件傳送體系通常包含機床上下料設(shè)備、傳送設(shè)備和儲料設(shè)備。主動線的操控體系首要用于保證線內(nèi)的機床、工件傳送體系，以及輔佐設(shè)備依照規(guī)則的作業(yè)循環(huán)和聯(lián)鎖需求正常作業(yè)，并設(shè)有毛病尋檢設(shè)備和信號設(shè)備。

(三) 自動化生產(chǎn)線的進程：

1. 先斷定節(jié)拍時刻：不管何種制品，皆在其有必要完結(jié)的剛好時刻內(nèi)制作；

2. 單位流程：只關(guān)于一項商品，進行單位配件的轉(zhuǎn)移、安裝、加工及資料的收取；

3. 先導器：制作以目視即能知道節(jié)拍時刻的設(shè)備；

4. U字型出產(chǎn)線：將設(shè)備依工程次序逆時針擺放，并由一人擔任出口及進口；

5. AB操控：只有當后工程無商品，而前工程有商品的景象，才進行工程；

6. 暗號：傳達出產(chǎn)線流程中商品異狀的設(shè)備；

7. 后工程收取：出產(chǎn)線的商品要因應后工程的需求。

(四) 自動化生產(chǎn)線的長處：

在大批、大量出產(chǎn)中選用主動線能進步勞動出產(chǎn)率，安穩(wěn)和進步商品質(zhì)量，改進勞動條件，減縮出產(chǎn)占地面積，下降出產(chǎn)成本，縮短出產(chǎn)周期，保證出產(chǎn)均衡性，有明顯的經(jīng)濟效益。

二、 CPU的主動化出產(chǎn)

(一) CPU的界說：

CPU(Centralprocessingunit)是現(xiàn)代計算機的核心部件，又稱為“微處置器(Microprocessor)”。

(二) 自動化生產(chǎn)線制作CPU的根本質(zhì)料：

          硅是CPU的根本原資料。除掉硅之外，制作CPU還要一種重要的資料即是金屬。目前為止，鋁現(xiàn)已變成制作處置器內(nèi)部配件的首要金屬資料，而銅則逐步被篩選。除了硅和鋁這兩種首要的資料之外，在芯片的規(guī)劃進程中還需求一些品種的化學質(zhì)料。

(三) CPU的制作：

1. CPU制作的預備期間

首要，硅質(zhì)料要進行化學提純，這一進程使其到達可供半導體工業(yè)運用的質(zhì)料等級。而為了使這些硅質(zhì)料可以滿意集成電路制作的加工需求，還有必要將其整形，這一步是經(jīng)過溶化硅質(zhì)料，然后將液態(tài)硅寫入大型高溫石英容器而完結(jié)的。

然后，將質(zhì)料進行高溫溶化。為了到達高性能處置器的需求，整塊硅質(zhì)料有必要高度純潔，及單晶硅。然后從高溫容器中選用旋轉(zhuǎn)拉伸的辦法將硅質(zhì)料取出，此刻一個圓柱體的硅錠就發(fā)生了。從目前所運用的技能來看，硅錠圓形橫截面的直徑為200毫米。

在制成硅錠并保證其是一個肯定的圓柱體之后，下一個進程即是將這個圓柱體硅錠切片，切片越薄，用料越省，tr可以出產(chǎn)的處置器芯片就更多。切片還要鏡面精加工的處置來保證外表肯定潤滑，之后查看是不是有歪曲或其它疑問。這一步的質(zhì)量檢驗尤為重要，它直接決議了制品CPU的質(zhì)量。新的切片中要摻入一些物質(zhì)而使之變成真實的半導體資料，然后在其上刻劃代表著各種邏輯功用的晶體管電路。在摻入化學物質(zhì)的作業(yè)完結(jié)之后，規(guī)范的切片就完結(jié)了。

自動化生產(chǎn)線然后將每一個切片放入高溫爐中加熱，經(jīng)過操控加溫時刻而使得切片外表生成一層二氧化硅膜。經(jīng)過親近監(jiān)測溫度，空氣成分和加溫時刻，該二氧化硅層的厚度是可以操控的。

預備作業(yè)的最終一道工序是在二氧化硅層上掩蓋一個感光層。這一層物質(zhì)用于同一層中的其它操控運用。這層物質(zhì)在枯燥時具有極好的感光作用，并且在光刻蝕進程完畢之后，可以經(jīng)過化學辦法將其溶解并除掉。

2. 光刻蝕

自動化生產(chǎn)線光刻蝕進程即是運用必定波長的光在感光層中刻出相應的刻痕， 由此改動該處資料的化學特性。這項技能關(guān)于所用光的波長需求極為嚴厲，需求運用短波長的紫外線和大曲率的透鏡?？涛g進程還會遭到晶圓上的污點的影響。每一步刻蝕都是一個雜亂而精密的進程。規(guī)劃每一步進程的所需求的數(shù)據(jù)量都可以用10GB的單位來計量，并且制作每塊處置器所需求的刻蝕進程都超越20步（每一步進行一層刻蝕）

當這些刻蝕作業(yè)悉數(shù)完結(jié)之后，晶圓被翻轉(zhuǎn)過來。短波長光線透過石英模板上鏤空的刻痕照射到晶圓的感光層上，然后撤掉光線和模板。經(jīng)過化學辦法除掉露出在外邊的感光層物質(zhì)，而二氧化硅立刻在陋空方位的下方生成。

3. 摻雜

然后，參加另一個帶有感光層的多晶硅層。多晶硅是門電路的另一品種型。因為此處運用到了金屬質(zhì)料（因而稱作金屬氧化物半導體），多晶硅答應在晶體管行列端口電壓起作用之前樹立門電路。感光層一起還要被短波長光線透過掩?？涛g。再經(jīng)過一部刻蝕，所需的悉數(shù)門電路就現(xiàn)已根本成型了。然后，要對露出在外的硅層經(jīng)過化學辦法進行離子轟擊，此處的意圖是生成N溝道或P溝道。