功率MOSFET管應(yīng)滿足以下幾個(gè)方面。 (1)具有較低的漏源導(dǎo)通阻抗,所選MOSFET的RDS(ON)應(yīng)至少小于10mΩ 而且應(yīng)當(dāng)越低越好; (2)應(yīng)選擇溫度性能較好的器件封裝形式: (3)額定漏源電壓應(yīng)大于15V; (4)所選MOSFET應(yīng)具有較低的門電荷,特別在高頻工作狀態(tài)時(shí),更是如此 。 電感的選擇 該電路使用了兩個(gè)輸出電感,而且兩個(gè)輸出電感分別分布在阿個(gè)通道上。 輸出電感的主要作用是降低輸出電壓紋波。但電感較大不但會(huì)增加系統(tǒng)成 本,而且也會(huì)增加寶貴的線路板空間。另外,輸出電感的選擇還要考慮電 路的開關(guān)工作頻率、輸入電壓和輸出電壓。 原文sf:http:///newsview-4285.html