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功率MOSFET管應滿足以下幾個方面。 (1)具有較低的漏源導通阻抗，所選MOSFET的RDS（ON）應至少小于10mΩ 而且應當越低越好； (2)應選擇溫度性能較好的器件封裝形式： (3)額定漏源電壓應大于15V； (4)所選MOSFET應具有較低的門電荷，特別在高頻工作狀態(tài)時，更是如此 。 電感的選擇 該電路使用了兩個輸出電感，而且兩個輸出電感分別分布在阿個通道上。 輸出電感的主要作用是降低輸出電壓紋波。但電感較大不但會增加系統(tǒng)成 本，而且也會增加寶貴的線路板空間。另外，輸出電感的選擇還要考慮電 路的開關工作頻率、輸入電壓和輸出電壓。 原文sf:http:///newsview-4285.html