2025年中國(guó)互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（CFET）技術(shù)市場(chǎng)全景調(diào)研及投資前景預(yù)測(cè)分析報(bào)告

一、

隨著全球半導(dǎo)體技術(shù)向更小制程節(jié)點(diǎn)演進(jìn)，傳統(tǒng)的FinFET架構(gòu)正逐漸逼近其物理極限?；パa(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Complementary FieldEffect Transistor，簡(jiǎn)稱(chēng)CFET）作為下一代晶體管架構(gòu)的候選方案之一，因其能夠顯著縮小芯片面積、提升性能并降低功耗，成為半導(dǎo)體技術(shù)研究的熱點(diǎn)。2025年，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于轉(zhuǎn)型升級(jí)的關(guān)鍵階段，CFET技術(shù)的引入與產(chǎn)業(yè)化將為中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)帶來(lái)新的發(fā)展機(jī)遇。

本報(bào)告旨在全面分析2025年中國(guó)CFET技術(shù)市場(chǎng)的發(fā)展現(xiàn)狀、產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)、主要企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)以及未來(lái)投資前景，為相關(guān)企業(yè)和投資者提供具有前瞻性的市場(chǎng)參考。

二、CFET技術(shù)概述

CFET是一種將n型和p型晶體管垂直堆疊的新型晶體管結(jié)構(gòu)。相較于傳統(tǒng)FinFET和GAAFET（環(huán)繞柵極晶體管），CFET的主要優(yōu)勢(shì)在于：

1. 更高的集成密度：垂直堆疊結(jié)構(gòu)可有效減少晶體管所占面積，提升芯片單位面積的性能； 2. 更低的功耗：通過(guò)優(yōu)化電流通路，減少漏電流； 3. 更強(qiáng)的設(shè)計(jì)靈活性：支持多種電路優(yōu)化和功耗控制策略； 4. 適用于先進(jìn)制程：尤其在3nm以下節(jié)點(diǎn)具備顯著優(yōu)勢(shì)。

CFET技術(shù)是未來(lái)2nm以下先進(jìn)制程的重要支撐，尤其在高性能計(jì)算（HPC）、AI芯片、移動(dòng)終端等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用前景。

三、中國(guó)CFET市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀

1. 政策支持與產(chǎn)業(yè)布局

，中國(guó)政府持續(xù)加大對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的政策扶持，出臺(tái)了包括《“十四五”集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》《中國(guó)制造2025》等在內(nèi)的多項(xiàng)政策，鼓勵(lì)關(guān)鍵技術(shù)自主創(chuàng)新。CFET作為未來(lái)先進(jìn)邏輯工藝的重要方向，被納入ggcd研發(fā)計(jì)劃與專(zhuān)項(xiàng)基金支持范圍。

2. 研發(fā)投入持續(xù)加大

國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（大基金）、各地方政府引導(dǎo)基金以及頭部半導(dǎo)體企業(yè)紛紛加大對(duì)CFET等前沿技術(shù)的研發(fā)投入。以中芯國(guó)際（SMIC）、華為海思、長(zhǎng)江存儲(chǔ)為代表的ltqy已啟動(dòng)CFET相關(guān)技術(shù)的預(yù)研項(xiàng)目。

3. 產(chǎn)業(yè)鏈配套逐步完善

中國(guó)半導(dǎo)體材料、設(shè)備與設(shè)計(jì)工具（EDA）產(chǎn)業(yè)的快速進(jìn)步，為CFET的產(chǎn)業(yè)化提供了良好基礎(chǔ)。光刻設(shè)備、硅片、光刻膠、沉積與蝕刻設(shè)備等領(lǐng)域均有本土企業(yè)取得突破。

4. 市場(chǎng)規(guī)模穩(wěn)步增長(zhǎng)

據(jù)不wq統(tǒng)計(jì)，2024年中國(guó)CFET相關(guān)技術(shù)研發(fā)與設(shè)備采購(gòu)市場(chǎng)規(guī)模已超20億元，預(yù)計(jì)到2025年將達(dá)到35億元。隨著技術(shù)逐步成熟，CFET將在2026年后開(kāi)始進(jìn)入小批量試產(chǎn)階段。

四、競(jìng)爭(zhēng)格局與主要企業(yè)分析

1. 中芯國(guó)際（SMIC）

作為中國(guó)大陸zx進(jìn)的晶圓代工廠(chǎng)，中芯國(guó)際在CFET技術(shù)布局上進(jìn)展迅速，已組建專(zhuān)門(mén)研發(fā)團(tuán)隊(duì)，并與國(guó)內(nèi)科研機(jī)構(gòu)合作開(kāi)展CFET技術(shù)路線(xiàn)圖研究。

2. 長(zhǎng)江存儲(chǔ)

雖然以存儲(chǔ)芯片為主業(yè)，但長(zhǎng)江存儲(chǔ)在三維晶體管（3D FET）技術(shù)方面積累了豐富經(jīng)驗(yàn)，為未來(lái)CFET技術(shù)的垂直堆疊工藝提供了良好基礎(chǔ)。

3. 華為海思

作為中國(guó)zd的IC設(shè)計(jì)公司之一，海思在先進(jìn)芯片設(shè)計(jì)方面具備深厚積累，正積極與代工伙伴合作，探索基于CFET工藝的下一代AI芯片設(shè)計(jì)方案。

4. 中科院微電子所、清華大學(xué)等科研機(jī)構(gòu)

在基礎(chǔ)理論研究、仿真建模與器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)等方面發(fā)揮重要作用，推動(dòng)中國(guó)CFET技術(shù)的自主創(chuàng)新。

五、產(chǎn)業(yè)鏈與配套體系分析

1. 上游：材料與設(shè)備

硅片：以滬硅產(chǎn)業(yè)為代表； 光刻膠：彤程新材、晶瑞電材； 光刻設(shè)備：上海微電子裝備（SMEE）； 沉積與蝕刻設(shè)備：北方華創(chuàng)、中微半導(dǎo)體。

2. 中游：芯片制造

中芯國(guó)際、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、華虹集團(tuán)等為主力企業(yè)。

3. 下游：終端應(yīng)用

智能手機(jī)（如華為、小米）、AI芯片（寒武紀(jì)、壁仞科技）、高性能計(jì)算（曙光信息）等領(lǐng)域?qū)⒊蔀镃FET的主要應(yīng)用場(chǎng)景。

六、2025年CFET市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)

1. 技術(shù)突破加速推進(jìn)

2025年，中國(guó)將實(shí)現(xiàn)CFET技術(shù)從實(shí)驗(yàn)室研究向中試階段的過(guò)渡，預(yù)計(jì)20262027年將進(jìn)入小規(guī)模量產(chǎn)階段。

2. 產(chǎn)業(yè)鏈