2025年中國互補場效應晶體管（CFET）技術市場全景調研及投資前景預測分析報告

一、

隨著全球半導體技術向更小制程節(jié)點演進，傳統(tǒng)的FinFET架構正逐漸逼近其物理極限?；パa場效應晶體管（Complementary FieldEffect Transistor，簡稱CFET）作為下一代晶體管架構的候選方案之一，因其能夠顯著縮小芯片面積、提升性能并降低功耗，成為半導體技術研究的熱點。2025年，中國半導體產業(yè)正處于轉型升級的關鍵階段，CFET技術的引入與產業(yè)化將為中國半導體行業(yè)帶來新的發(fā)展機遇。

本報告旨在全面分析2025年中國CFET技術市場的發(fā)展現狀、產業(yè)鏈結構、主要企業(yè)競爭態(tài)勢以及未來投資前景，為相關企業(yè)和投資者提供具有前瞻性的市場參考。

二、CFET技術概述

CFET是一種將n型和p型晶體管垂直堆疊的新型晶體管結構。相較于傳統(tǒng)FinFET和GAAFET（環(huán)繞柵極晶體管），CFET的主要優(yōu)勢在于：

1. 更高的集成密度：垂直堆疊結構可有效減少晶體管所占面積，提升芯片單位面積的性能； 2. 更低的功耗：通過優(yōu)化電流通路，減少漏電流； 3. 更強的設計靈活性：支持多種電路優(yōu)化和功耗控制策略； 4. 適用于先進制程：尤其在3nm以下節(jié)點具備顯著優(yōu)勢。

CFET技術是未來2nm以下先進制程的重要支撐，尤其在高性能計算（HPC）、AI芯片、移動終端等領域具有廣泛應用前景。

三、中國CFET市場發(fā)展現狀

1. 政策支持與產業(yè)布局

，中國政府持續(xù)加大對半導體產業(yè)的政策扶持，出臺了包括《“十四五”集成電路產業(yè)發(fā)展規(guī)劃》《中國制造2025》等在內的多項政策，鼓勵關鍵技術自主創(chuàng)新。CFET作為未來先進邏輯工藝的重要方向，被納入ggcd研發(fā)計劃與專項基金支持范圍。

2. 研發(fā)投入持續(xù)加大

國家集成電路產業(yè)投資基金（大基金）、各地方政府引導基金以及頭部半導體企業(yè)紛紛加大對CFET等前沿技術的研發(fā)投入。以中芯國際（SMIC）、華為海思、長江存儲為代表的ltqy已啟動CFET相關技術的預研項目。

3. 產業(yè)鏈配套逐步完善

中國半導體材料、設備與設計工具（EDA）產業(yè)的快速進步，為CFET的產業(yè)化提供了良好基礎。光刻設備、硅片、光刻膠、沉積與蝕刻設備等領域均有本土企業(yè)取得突破。

4. 市場規(guī)模穩(wěn)步增長

據不wq統(tǒng)計，2024年中國CFET相關技術研發(fā)與設備采購市場規(guī)模已超20億元，預計到2025年將達到35億元。隨著技術逐步成熟，CFET將在2026年后開始進入小批量試產階段。

四、競爭格局與主要企業(yè)分析

1. 中芯國際（SMIC）

作為中國大陸zx進的晶圓代工廠，中芯國際在CFET技術布局上進展迅速，已組建專門研發(fā)團隊，并與國內科研機構合作開展CFET技術路線圖研究。

2. 長江存儲

雖然以存儲芯片為主業(yè)，但長江存儲在三維晶體管（3D FET）技術方面積累了豐富經驗，為未來CFET技術的垂直堆疊工藝提供了良好基礎。

3. 華為海思

作為中國zd的IC設計公司之一，海思在先進芯片設計方面具備深厚積累，正積極與代工伙伴合作，探索基于CFET工藝的下一代AI芯片設計方案。

4. 中科院微電子所、清華大學等科研機構

在基礎理論研究、仿真建模與器件結構設計等方面發(fā)揮重要作用，推動中國CFET技術的自主創(chuàng)新。

五、產業(yè)鏈與配套體系分析

1. 上游：材料與設備

硅片：以滬硅產業(yè)為代表； 光刻膠：彤程新材、晶瑞電材； 光刻設備：上海微電子裝備（SMEE）； 沉積與蝕刻設備：北方華創(chuàng)、中微半導體。

2. 中游：芯片制造

中芯國際、長江存儲、華虹集團等為主力企業(yè)。

3. 下游：終端應用

智能手機（如華為、小米）、AI芯片（寒武紀、壁仞科技）、高性能計算（曙光信息）等領域將成為CFET的主要應用場景。

六、2025年CFET市場發(fā)展趨勢

1. 技術突破加速推進

2025年，中國將實現CFET技術從實驗室研究向中試階段的過渡，預計20262027年將進入小規(guī)模量產階段。

2. 產業(yè)鏈