2025年中國(guó)碳化硅晶圓和襯底市場(chǎng)占有率及行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局分析報(bào)告

一、碳化硅晶圓和襯底產(chǎn)業(yè)概述

碳化硅（SiC）作為一種第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其優(yōu)異的物理性能，如高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率和高電子飽和漂移速度，逐漸成為新能源汽車、軌道交通、光伏逆變器、5G通信等領(lǐng)域的重要材料。特別是在電動(dòng)汽車快速發(fā)展的背景下，碳化硅器件憑借其高效率和低能耗的優(yōu)勢(shì)，成為功率電子器件的ss材料。

碳化硅晶圓和襯底作為整個(gè)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的上游環(huán)節(jié)，直接決定著下游器件的性能和成本。其中，碳化硅襯底是外延生長(zhǎng)的基礎(chǔ)，其質(zhì)量和成本對(duì)整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈具有深遠(yuǎn)影響；而碳化硅晶圓則是通過(guò)外延技術(shù)在襯底上生長(zhǎng)制成，是制造碳化硅基功率器件的核心材料。，隨著全球?qū)μ蓟栊枨蟮牟粩嘣黾?，我?guó)碳化硅晶圓和襯底市場(chǎng)迎來(lái)了前所未有的發(fā)展機(jī)遇。

二、2025年中國(guó)碳化硅晶圓和襯底市場(chǎng)占有率分析

（一）市場(chǎng)規(guī)?？焖僭鲩L(zhǎng)

根據(jù)行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，2025年中國(guó)碳化硅晶圓和襯底市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)到約300億元人民幣，較2020年的50億元增長(zhǎng)近6倍。這一增長(zhǎng)主要得益于新能源汽車市場(chǎng)的爆發(fā)式擴(kuò)張、光伏發(fā)電需求的持續(xù)增長(zhǎng)以及5G通信基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)的加速推進(jìn)。

在碳化硅襯底領(lǐng)域，中國(guó)企業(yè)的市場(chǎng)占有率近年來(lái)顯著提升。2025年，預(yù)計(jì)國(guó)內(nèi)襯底廠商將占據(jù)全球市場(chǎng)40%以上的份額。這得益于我國(guó)企業(yè)持續(xù)加大研發(fā)投入，逐步突破6英寸和8英寸襯底的技術(shù)瓶頸，實(shí)現(xiàn)了從依賴進(jìn)口到部分自主供應(yīng)的轉(zhuǎn)變。

在碳化硅晶圓方面，隨著外延技術(shù)的不斷成熟，我國(guó)企業(yè)也開(kāi)始逐步縮小與國(guó)際領(lǐng)先廠商的差距。2025年，中國(guó)碳化硅晶圓廠商預(yù)計(jì)將占據(jù)全球市場(chǎng)35%左右的份額，尤其是在中低端市場(chǎng)領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力已顯著增強(qiáng)。

（二）市場(chǎng)占有率分布

從市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局來(lái)看，目前全球碳化硅晶圓和襯底市場(chǎng)主要由歐美日韓企業(yè)主導(dǎo)。，中國(guó)企業(yè)在政府政策支持和市場(chǎng)需求拉動(dòng)下，正在迅速崛起。以下為2025年中國(guó)碳化硅晶圓和襯底市場(chǎng)占有率的主要分布：

1. 碳化硅襯底市場(chǎng)：國(guó)際ltqy如美國(guó)Wolfspeed（原Cree）和德國(guó)SiCrystal仍占據(jù)較大市場(chǎng)份額，但國(guó)內(nèi)企業(yè)如天岳先進(jìn)、山東天科合達(dá)、世紀(jì)金光等正快速追趕。預(yù)計(jì)2025年，天岳先進(jìn)將占據(jù)國(guó)內(nèi)襯底市場(chǎng)約25%的份額，天科合達(dá)和世紀(jì)金光分別占據(jù)20%和15%的份額。

2. 碳化硅晶圓市場(chǎng)：在晶圓領(lǐng)域，國(guó)際廠商如羅姆（ROHM）、英飛凌（Infineon）和意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）占據(jù)主導(dǎo)地位。，國(guó)內(nèi)廠商如三安光電、揚(yáng)杰科技和中車時(shí)代電氣等正逐步擴(kuò)大市場(chǎng)份額。預(yù)計(jì)2025年，三安光電將占據(jù)國(guó)內(nèi)晶圓市場(chǎng)約30%的份額，揚(yáng)杰科技和中車時(shí)代電氣分別占據(jù)20%和15%的份額。

三、行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局分析

（一）國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)格局

，全球碳化硅晶圓和襯底市場(chǎng)呈現(xiàn)出高度集中的競(jìng)爭(zhēng)格局。美國(guó)Wolfspeed作為全球碳化硅襯底領(lǐng)域的ltqy，占據(jù)了約60%的市場(chǎng)份額，其技術(shù)優(yōu)勢(shì)和產(chǎn)能規(guī)模使其在全球市場(chǎng)中占據(jù)主導(dǎo)地位。德國(guó)SiCrystal和日本羅姆則分別占據(jù)約20%和10%的市場(chǎng)份額。

在晶圓領(lǐng)域，日本羅姆憑借其在碳化硅功率器件領(lǐng)域的深厚積累，占據(jù)了全球晶圓市場(chǎng)約40%的份額。英飛凌和意法半導(dǎo)體緊隨其后，分別占據(jù)約25%和20%的市場(chǎng)份額。

（二）國(guó)內(nèi)競(jìng)爭(zhēng)格局

，隨著中國(guó)政府對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高度重視以及新能源汽車市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)，國(guó)內(nèi)碳化硅晶圓和襯底企業(yè)迎來(lái)了前所未有的發(fā)展機(jī)遇。，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局呈現(xiàn)出以下特點(diǎn)：

1. 技術(shù)差距逐步縮?。和ㄟ^(guò)持續(xù)的研發(fā)投入和技術(shù)引進(jìn)，國(guó)內(nèi)企業(yè)在6英寸襯底和晶圓領(lǐng)域已基本實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并在部分gd領(lǐng)域開(kāi)始突破8英寸技術(shù)。這標(biāo)志著我國(guó)碳化硅產(chǎn)業(yè)正逐步擺脫對(duì)進(jìn)口的依賴。

2. 區(qū)域化產(chǎn)業(yè)集群效應(yīng)顯現(xiàn)：，國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)已初步形成了以長(zhǎng)三角、珠三角和京津冀為核心的產(chǎn)業(yè)集群。其中，長(zhǎng)三角地區(qū)憑借其強(qiáng)大的技術(shù)研發(fā)能力和完善的產(chǎn)業(yè)鏈配套，成為國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)的lpz。

3. 政策支持推動(dòng)行業(yè)發(fā)展：國(guó)家“十四五”規(guī)劃明確提出要大力發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，碳化硅作為其中的重要組成部分，得到了各級(jí)政府的大力支持。例如，上海、深圳、北京等地均出臺(tái)了針對(duì)碳化硅產(chǎn)業(yè)的專項(xiàng)扶持政策，為企業(yè)提供了資金、技術(shù)和市場(chǎng)等多方面的支持。

（三）主要企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)分析

1. 天岳先進(jìn)：作為國(guó)內(nèi)碳化硅襯底領(lǐng)域的ltqy，天岳先進(jìn)在6英寸襯底技術(shù)上已達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏發(fā)電和軌道交通等領(lǐng)域。公司近年來(lái)持續(xù)加大研發(fā)投入，積極布局8英寸襯底市場(chǎng)，力爭(zhēng)在2025年實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破。

2. 三安光電：作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅晶圓廠商，三安光電在晶圓外延技術(shù)上具有較強(qiáng)優(yōu)勢(shì)。公司通過(guò)與國(guó)內(nèi)外多家zmqy合作，成功開(kāi)發(fā)出一系列高性能碳化硅晶圓產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于功率電子器件領(lǐng)域。

3. 揚(yáng)杰科技：揚(yáng)杰科技在碳化硅器件領(lǐng)域具有較強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力，其晶圓產(chǎn)品已在新能源汽車和光伏逆變器市場(chǎng)獲得廣泛應(yīng)用。公司通過(guò)不斷優(yōu)化生產(chǎn)工藝，有效降低了產(chǎn)品成本，提升了市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

四、未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)及挑戰(zhàn)

（一）技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

1. 向大尺寸晶圓邁進(jìn)：隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，8英寸碳化硅晶圓將成為未來(lái)主流。大尺寸晶圓的使用將顯著提高生產(chǎn)效率，降低單位成本，為碳化硅器件的廣泛應(yīng)用奠定基礎(chǔ)。

2. 提升襯底質(zhì)量：襯底質(zhì)量直接影響外延層的性能和器件的可靠性。，國(guó)內(nèi)企業(yè)需要進(jìn)一步提升襯底的晶體質(zhì)量，降低缺陷密度，以滿足gd應(yīng)用需求。

3. 推動(dòng)外延技術(shù)進(jìn)步：外延層的質(zhì)量直接決定了晶圓的性能。，國(guó)內(nèi)外延技術(shù)將向更薄、更均勻和更高遷移率方向發(fā)展，進(jìn)一步提升碳化硅器件的性能。

（二）面臨的挑戰(zhàn)

1. 技術(shù)壁壘高：碳化硅晶圓和襯底的制備技術(shù)復(fù)雜，涉及高溫高壓環(huán)境下的晶體生長(zhǎng)、表面處理和缺陷控制等多個(gè)環(huán)節(jié)。國(guó)內(nèi)企業(yè)在gd技術(shù)領(lǐng)域仍需進(jìn)一步突破。

2. 市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈：盡管國(guó)內(nèi)市場(chǎng)增長(zhǎng)迅速，但國(guó)際巨頭憑借其技術(shù)優(yōu)勢(shì)和規(guī)模效應(yīng)，仍占據(jù)較大市場(chǎng)份額。國(guó)內(nèi)企業(yè)需要不斷提升技術(shù)水平和成本優(yōu)勢(shì)，才能在激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)一席之地。

3. 原材料供應(yīng)緊張：碳化硅晶圓和襯底的制備需要大量高純度碳化硅粉體，而目前全球碳化硅粉體供應(yīng)相對(duì)緊張，這可能對(duì)國(guó)內(nèi)企業(yè)的產(chǎn)能擴(kuò)張?jiān)斐梢欢ㄖ萍s。

五、總結(jié)

，2025年中國(guó)碳化硅晶圓和襯底市場(chǎng)將迎來(lái)快速發(fā)展，市場(chǎng)規(guī)模和市場(chǎng)占有率均將大幅提升。，國(guó)內(nèi)企業(yè)在技術(shù)突破、成本控制和市場(chǎng)拓展等方面仍面臨諸多挑戰(zhàn)。，隨著技術(shù)研發(fā)的不斷深入和產(chǎn)業(yè)生態(tài)的逐步完善，我國(guó)碳化硅晶圓和襯底產(chǎn)業(yè)有望在全球市場(chǎng)上占據(jù)更加重要的地位。