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分子束外延 MBE 是一種晶體生長(zhǎng)技術(shù), 首先將待成長(zhǎng)的芯片放置在超高真空腔體中（~10-10Torr）, 和將需要生長(zhǎng)的單晶物質(zhì)按元素的不同分別放在噴射爐中, 當(dāng)爐溫升至一定溫度時(shí), 爐中的材料會(huì)以原子束或分子束的形式蒸發(fā)出來(lái), 此時(shí)基板也被加熱至一適當(dāng)?shù)臏囟? 分子束射至基板時(shí), 就會(huì)與基板表面的原子結(jié)合而生長(zhǎng)出極薄的, 可薄至單原子層水平, 單晶體和幾種物質(zhì)交替的超晶格結(jié)構(gòu).
分子束外延 MBE系統(tǒng)需要在超高真空環(huán)境中進(jìn)行, 對(duì)真空度要求及其高, 真空可到 2×10-10 torr, 同時(shí)需要低振動(dòng), 低噪音, 清潔無(wú)油確保超高真空的穩(wěn)定性已保證晶格的生長(zhǎng)和后期的探測(cè)分析.
分子束外延設(shè)備在生長(zhǎng)二維材料以及拓?fù)洳牧? 氧化物方面都有不錯(cuò)的性能. 例如：GaAs/ InP和GaSb外延, HgCdTe外延/ GaN/ InN和AlN外延/ Ⅱ-Ⅵ族外延/ SiGe外延/ Si/金屬/氧化物外延等
上海伯東Pfeiffer 用于 MBE 的客戶案例
某真空系統(tǒng)集成商搭建的MBE設(shè)備, 由用戶方采購(gòu) HiPace 系列和 ACP干泵用于分子束外延系統(tǒng),
可以生長(zhǎng)小樣品及6“樣品 SiC及 PBN鎢絲等加熱元件, 溫度可以加到900度, 如果兩寸以上樣品可以到1100度.
腔體采有SS316材質(zhì), 真空可達(dá)到10-10Torr, 使用伯東 Pfeiffer HiPace分子泵及配合使用其他品牌離子泵, 可配備晶振, 束流監(jiān)控器, 高能電子槍以及監(jiān)控軟件.
可配備固體源/ 氣體源/ALD閥/ 等離子體增強(qiáng)型束源爐及電子回旋共振束源爐
標(biāo)準(zhǔn)RHEED系統(tǒng)（實(shí)時(shí)外延監(jiān)測(cè)）
自動(dòng)化控制軟件
分子束外延超高真空系統(tǒng)用伯東 Pfeiffer 分子泵
伯東 Pfeiffer HiPace 700
接口: DN 160 CF-F
極限真空: < 5X10-10 mbar
氮?dú)鈮嚎s比: > 1X1011
抽速@N2: 685 l/s
伯東 Pfeiffer ACP28 多級(jí)
接口: DN25 ISO-KF
抽速: 27m3/h
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