廣告
壓縮比通常是指泵的排氣壓力與進(jìn)氣壓力的比值. 對于來說, 壓縮比是指在前真空法蘭測量的壓力與在高真空法蘭測量的壓力之比. 壓縮比的高低取決于幾個(gè)因素, 最重要的因素是氣體的類型和渦輪分子泵的設(shè)計(jì). 壓縮比越高, 在分子泵進(jìn)氣口得到的最終壓力就越低, 也就是分子泵的極限壓力越低.
壓縮比的定義
壓縮比通常是在泵內(nèi)側(cè)沒有任 何氣流量時(shí)確定的, 這就是所謂的零吞吐量. 使用指數(shù) “0” 對其進(jìn)行識別, 在有關(guān)的文獻(xiàn)和技術(shù)資料中, 壓縮比往往被稱為 K0. 實(shí)際上, 渦輪分子泵壓縮比的測量是通過逐漸將氣體引入前真空管道以增加前級壓力同時(shí)測量隨后產(chǎn)生的高真空壓力來實(shí)現(xiàn)的.
影響壓縮比數(shù)值的因素: 氣體類型和渦輪分子泵內(nèi)部設(shè)計(jì)
壓縮比取決于幾個(gè)因素. 最重要的因素是氣體類型和的設(shè)計(jì). 渦輪分子泵的抽吸作用是基于從高真空側(cè)流動(dòng)到前真空側(cè)的氣體粒子多于從前真空側(cè)流動(dòng)到高真空側(cè)的氣體粒子. 通過轉(zhuǎn)子葉片快速旋轉(zhuǎn)對目標(biāo)粒子進(jìn)行加速來實(shí)現(xiàn)的, 氣體越輕, 其分子運(yùn)動(dòng)的速度就越快 ( 如下圖 ):
各種氣體的分子質(zhì)量和平均速度
|
氣體 |
H2 |
He |
H2O |
N2 |
空氣 |
Ar |
CO2 |
|
摩爾質(zhì)量 g/mol |
2 |
4 |
18 |
28 |
29 |
40 |
44 |
|
平均速度 m/s |
1762 |
1246 |
587 |
471 |
463 |
394 |
376 |
|
馬赫數(shù) |
5.3 |
3.7 |
1.8 |
1.4 |
1.4 |
1.2 |
1.1 |
對于較輕的氣體分子, 其向高真空側(cè)的回流速度因此高于較重的氣體分子. 由于存在較輕的氣體分子, 因此高真空側(cè)存在更多的氣體粒子. 這里的壓力會(huì)相對較高, 而壓縮比較低 ( 如下圖, 以上海伯東 舉例 )
上海伯東德國 Pfeiffer 內(nèi)部設(shè)計(jì)
根據(jù)生產(chǎn)商的不同, 分子泵抽吸原理也會(huì)有所不同, 這些泵級被稱為 “Holweck”, “Gaede” 或 “Siegbahn”級. 在極少數(shù)情況下還會(huì)使用側(cè)槽泵級. Pfeiffer HiPace 系列內(nèi)置 Holweck 泵級, 與其他類型對比,如下圖所示, Holweck 泵級能夠更高 效地把非常輕的氣體抽入更高壓力區(qū), 具有高壓縮比的渦輪分子泵比低壓縮比的渦輪分子泵更能獲得相對較低的極限壓力.
上海伯東 HiPace 系列技術(shù)規(guī)格
|
型號 |
進(jìn)氣口 DN |
壓縮比 |
極限真空 hPa |
抽速 l/s |
|||||||||
|
N2 |
He |
H2 |
Ar |
N2 |
He |
H2 |
Ar |
||||||
|
|
25 |
3X106 |
3X103 |
3X102 |
2.5X108 |
< 5X10-5 |
10 |
6 |
3.7 |
11.5 |
|||
|
|
40 /63 |
1X1011 |
1.3X107 |
1.4X105 |
1X1011 |
< 5X10-10 |
67 |
58 |
48 |
66 |
|||
|
|
100 |
1X1011 |
1X108 |
9X105 |
1X1011 |
< 5X10-10 |
260 |
255 |
220 |
255 |
|||
|
|
160 |
>1X1011 |
3X107 |
14X105 |
1X1011 |
< 5X10-10 |
685 |
655 |
555 |
665 |
|||
|
|
200 |
>1X108 |
2X104 |
6X103 |
>1X108 |
< 5X10-10 |
1250 |
1300 |
1100 |
1200 |
|||
|
|
250 |
>1X108 |
3X105 |
2X104 |
>1X108 |
< 5X10-10 |
1900 |
2000 |
1850 |
1800 |
|||
極限真空為實(shí)驗(yàn)室理想值
上海伯東 Pfeiffer HiPace 系列獲得 Semi S2, UL, CSA 和 Nema 12 認(rèn)證. 特別適用于質(zhì)譜分析, 電子顯微術(shù), 測量技術(shù), 粒子加速和等離子體物理方面的應(yīng)用. 除了用于分析, 真空工藝和半導(dǎo)體技術(shù)外, 還可用于真空鍍膜, 研發(fā)以及工業(yè)領(lǐng)域.
若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)信息或討論, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式：
上海伯東: 羅先生
