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KRI 離子源應(yīng)用于有機(jī)材料熱蒸鍍?cè)O(shè)備 OLED, OPV
有機(jī)金屬熱沉積系統(tǒng)是一種熱蒸發(fā)的方式, 用于將有機(jī)或金屬材料沉積到基板表面上.該過程需要通過控制溫度和沉積速率來實(shí)現(xiàn)薄膜的高精度和均勻性. 上海伯東美國 可用于基板清潔和加速材料的蒸發(fā)速度, 并且 KRI 在材料沉積過程中可幫助沉積并使沉積后的薄膜更為致密. 有機(jī)材料熱沉積系統(tǒng)使用高精準(zhǔn)熱蒸發(fā)源作為加熱源, 并使用金屬, 石英, 陶瓷或 PBN 坩堝來容納有機(jī)材料以及 PID 控制器來控制其沉積速率. 該系統(tǒng)通常用于有機(jī)電子研究領(lǐng)域, 例如 OPV, OLED, OPD...
------ 有機(jī)材料熱蒸鍍?cè)O(shè)備 OLED, OPV -----
上海伯東美國 KRI RFICP 系列, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時(shí)間更長(zhǎng)! RFICP 系列提供完整的套裝, 套裝包含離子源本體, 電子供應(yīng)器, 中和器, 自動(dòng)控制器等. 射頻離子源適合多層膜的制備, 離子濺鍍鍍膜和離子蝕刻, 有效改善靶材的致密性, 光透射, 均勻性, 附著力等.
RFICP 系列技術(shù)參數(shù):
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型號(hào) |
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Discharge 陽極 |
RF 射頻 |
RF 射頻 |
RF 射頻 |
RF 射頻 |
RF 射頻 |
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離子束流 |
>100 mA |
>350 mA |
>600 mA |
>800 mA |
>1500 mA |
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離子動(dòng)能 |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
4 cm Φ |
10 cm Φ |
14 cm Φ |
20 cm Φ |
30 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
3-10 sccm |
5-30 sccm |
5-30 sccm |
10-40 sccm |
15-50 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
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長(zhǎng)度 |
12.7 cm |
23.5 cm |
24.6 cm |
30 cm |
39 cm |
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直徑 |
13.5 cm |
19.1 cm |
24.6 cm |
41 cm |
59 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
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