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應用于電子束蒸鍍設備 E-beam Evaporation System
特殊的系統(tǒng)設計電子束沉積是一種實用且高度可靠的系統(tǒng), 上海伯東某客戶電子束蒸鍍系統(tǒng)可針對量產(chǎn)使用單一大坩堝也可以有多個坩堝來達到產(chǎn)品多層膜結構, 在基板乘載上對應半導體研究和大型設備設計單片和多片公自轉的設計. 為了獲得最 大的制程靈活性, 可以結合進行離子輔助沉積或者預清潔等功能.
----------- 電子束蒸鍍設備 E-beam Evaporation System ----------
上海伯東 KRI RFICP 參數(shù):
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型號 |
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Discharge 陽極 |
RF 射頻 |
RF 射頻 |
RF 射頻 |
RF 射頻 |
RF 射頻 |
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離子束流 |
>100 mA |
>350 mA |
>600 mA |
>800 mA |
>1500 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
4 cm Φ |
10 cm Φ |
14 cm Φ |
20 cm Φ |
30 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
3-10 sccm |
5-30 sccm |
5-30 sccm |
10-40 sccm |
15-50 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
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長度 |
12.7 cm |
23.5 cm |
24.6 cm |
30 cm |
39 cm |
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直徑 |
13.5 cm |
19.1 cm |
24.6 cm |
41 cm |
59 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
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上海伯東美國 KRI 提供, 和, 歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項專利. 廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國中國總代理.
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