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伯東 KRI 離子源成功應(yīng)用于離子濺射鍍膜 (IBSD)

作者:伯東企業(yè)(上海)有限公司 來源:hakuto 發(fā)布時間:2023-06-27 瀏覽:35
伯東 KRI 離子源成功應(yīng)用于離子濺射鍍膜 (IBSD)

美國考夫曼公司Gridded Ion Sources (柵極離子源) 系列 RFCIP  (射頻電源式考夫曼離子源), KDC  (直流電源式考夫曼離子源) 已廣泛被應(yīng)用于離子濺射鍍膜 (IBSD) 工藝.

 

離子濺射鍍膜是在部分真空的濺射室中輝光放電, 產(chǎn)生正的氣體離子;在(靶)和(試樣)間電壓的加速作用下, 荷正電的離子轟擊陰極表面, 使陰極表面材料原子化;形成的中性原子, 從各個方向濺出, 射落到試樣的表面, 于是在試樣表面上形成一層均勻的薄膜.

 

伯東 KRI考夫曼可控制離子的強度及濃度, 使濺射 (Sputtering) 時靶材 (Target) 被轟擊出具有中和性材料分子而獲得高致密, 高質(zhì)量之薄膜. 考夫曼離子源可依客戶濺射 (Sputtering) 工藝條件選擇 RFICP  (射頻電源式考夫曼離子源) 或是 KDC  (直流電原式考夫曼離子源).

規(guī)格如下:

RFCIP  (射頻式考夫曼離子源) : , , , , 

KDC  (直流式考夫曼離子源): , , , , .

 

伯東公司為 Kaufman & Robinson, Inc (美國考夫曼公司) KRI 大中國區(qū)總代理.

 

伯東是德國  , , , , 美國  , , 美國  , 美國 Ambrell 和日本 NS 等進口品牌的指定代理商.

 

http://www.hakuto-/uploadforck/images/image-20200724135740-1.jpeg

 

若您需要進一步的了解詳細(xì)信息或討論, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式:

上海伯東: 羅先生                               臺灣伯東: 王女士
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                    F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                  M: +886-939-653-958
                    

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