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在制備 TiN 薄膜過(guò)程中, 離子持續(xù)轟擊對(duì) TiN 薄膜的結(jié)構(gòu)和性能影響很大, 在離子持續(xù)轟擊作用下能夠獲得性能優(yōu)異的TiN薄膜.
為了獲取性能優(yōu)異的 TiN 薄膜, 國(guó)內(nèi)某制造商采用伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 380 對(duì) TiN 薄膜進(jìn)行持續(xù)轟擊. 工作系統(tǒng)簡(jiǎn)單示意如下圖:
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射頻型號(hào) |
RFICP 380 |
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Discharge 陽(yáng)極 |
射頻 RFICP |
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離子束流 |
>1500 mA |
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離子動(dòng)能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
30 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
15-50 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長(zhǎng)度 |
39 cm |
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直徑 |
59 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
1. 大面積射頻離子源
2. 提供高密度離子束, 滿足高工藝需求
3. 采用射頻技術(shù)產(chǎn)生離子, 無(wú)需電離燈絲, 工藝時(shí)間更長(zhǎng), 更適合時(shí)間長(zhǎng)的工藝要求
4. 離子束流: >1500 mA
5. 離子動(dòng)能: 100-1200 V
6. 中和器: LFN 2000
7. 采用自動(dòng)控制器, 一鍵自動(dòng)匹配
8. RF Generator 可根據(jù)工藝自行選擇離子濃度, EX: 1kW or 2kW
9. 離子源采用模塊化設(shè)計(jì), 方便清潔/ 保養(yǎng)/ 維修/ 安裝
10. 柵極材質(zhì)鉬和石墨, 堅(jiān)固耐用
11. 通入氣體可選 Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, others
其使用前（左）和使用后（右）對(duì)比圖如下：
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