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傳統(tǒng)直接蒸發(fā) HfO2塊材料, 容易產生節(jié)瘤缺陷, 吸收很大, 限制了薄膜的激光損傷閾值, 因此, 為了獲取高質量的 HfO2 薄膜, 某機構采用 KRI KDC 160 輔助鍍制 HfO2 薄膜.
客戶的樣品基底材料為 K9 玻璃, 靶材為 HfO2塊材料, 運行的離子源偏壓為 90V.
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離子源型號 |
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Discharge |
DC 熱離子 |
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離子束流 |
>650 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
16 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
2-30 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長度 |
25.2 cm |
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直徑 |
23.2 cm |
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中和器 |
燈絲 |
* 可選: 可調角度的支架
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