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在硅襯底上生長 Ge 量子點唄認(rèn)為是可能實現(xiàn) Si 基發(fā)光的重要途徑, 對 Si 基光電子、微電子或單電子器件有重要影響.
某研究所采用伯東 KRI 用于離子束濺射鍍制 Ge 納米薄膜的研究.
該研究采用的是 FJL560 III 型超高真空多靶磁控與離子束聯(lián)合濺射設(shè)備的離子束濺射室內(nèi)制備樣品, 生長室的本底真空度低于 4x10-4Pa.
其系統(tǒng)工作示意圖如下：
該研究所的離子束濺射鍍膜組成系統(tǒng)主要由濺射室、、濺射靶、基片臺等部分組成.
用于濺射的離子源采用伯東的 KRI 聚焦型, 其參數(shù)如下:
伯東 KRI 聚焦型射頻 RFICP 380 技術(shù)參數(shù)：
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射頻型號 |
RFICP 380 |
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Discharge 陽極 |
射頻 RFICP |
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離子束流 |
>1500 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
30 cm Φ |
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離子束 |
聚焦 |
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流量 |
15-50 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長度 |
39 cm |
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直徑 |
59 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
推薦理由：
聚焦型濺射離子源一方面可以增加束流密度, 提高濺射率; 另一方面減小離子束的散射面積, 減少散射的離子濺射在靶材以外的地方引起污染
生長室的本底真空度低于 4x10-4Pa, 經(jīng)推薦采用伯東泵組 Hicube 80 Pro, 其技術(shù)參數(shù)如下：
分子泵組 Hicube 80 Pro 技術(shù)參數(shù):
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進(jìn)氣法蘭 |
氮氣抽速 |
極限真空 hpa |
前級泵 型號 |
前級泵抽速 |
前級真空 |
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DN 40 ISO-KF |
35 |
< 1X10-7 |
Pascal 2021 |
18 |
AVC 025 MA |
運(yùn)行結(jié)果：
得到了尺寸較均勻的 Ge 島, 島的數(shù)量也很多.
伯東是德國 , , , , 美國 , 美國, 美國 , 美國 Ambrell 和日本 NS 等進(jìn)口品牌的指定代理商.
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