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某實驗室運用直流磁控濺射法, 采用 ZAO 陶瓷靶材, 結合正交試驗表通過改變制備工藝中的基片溫度、濺射功率、氧流量百分比等參數(shù), 在普通玻璃襯底上制備得到ZnO: Al（ZAO）透明導電薄膜.
試驗設備:
伯東 KRI 聚焦 RFICP 220 進行濺射, 選用 ZAO 陶瓷靶, 基片為普通玻璃, 普發(fā) Pfeiffer Duo 3.
工藝要求:
靶與基片距離為5cm, 濺射時間為30 min
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型號 |
RFICP 220 |
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Discharge |
RFICP 射頻 |
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離子束流 |
>800 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
20 cm Φ |
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離子束 |
聚焦 |
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流量 |
10-40 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長度 |
30 cm |
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直徑 |
41 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
推薦理由:
聚焦型射頻一方面可以增加束流密度, 提高濺射率; 另一方面減小離子束的散射面積, 減少散射的離子濺射在靶材以外的地方引起污染
在整個實驗工藝中工作氣壓保持在 3x 10-1Pa, 因此采用伯東 Pfeiffer Duo 3.
若您需要進一步的了解詳細信息或討論, 請參考以下聯(lián)絡方式:
上海伯東: 羅先生 臺灣伯東: 王女士
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