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KRI 射頻離子源用于碳化硅微納結(jié)構(gòu)表面刻蝕

作者:伯東企業(yè)(上海)有限公司 來源:hakuto 發(fā)布時間:2023-05-29 瀏覽:20
KRI 射頻離子源用于碳化硅微納結(jié)構(gòu)表面刻蝕

為了解決飛秒激光加工硬質(zhì)材料所帶來的表面質(zhì)量差的問題, 國內(nèi)某制造商用伯東 輔助飛秒激光加工技術(shù)對碳化硅微納結(jié)構(gòu)表面進行刻蝕.

伯東 KRI 聚焦型射頻 RFICP 380 技術(shù)參數(shù):

射頻型號

RFICP 380

Discharge 陽極

射頻 RFICP

離子束流

>1500 mA

離子動能

100-1200 V

柵極直徑

30 cm Φ

離子束

聚焦

流量

15-50 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

長度

39 cm

直徑

59 cm

中和器

LFN 2000

 

推薦理由:

使用 KRI 聚焦型射頻 RFICP 380可以準確、靈活地對樣品選定的區(qū)域進行刻蝕、減薄.

 

工藝簡介:

在碳化硅表面制備微納結(jié)構(gòu)圖形, 然后通過 KRI 聚焦型射頻 RFICP 380 對碳化硅微納結(jié)構(gòu)進行刻蝕, 以調(diào)控結(jié)構(gòu)的線寬和深度.

 

運行結(jié)果:

1. 結(jié)構(gòu)表面粗糙度由約 106nm 降低到 11.8nm

2. 碳化硅線條結(jié)構(gòu)周圍的毛刺基本消失, 線條結(jié)構(gòu)表面的粗糙度得到改善, 降低結(jié)構(gòu)表面的粗糙度實現(xiàn)高平滑度微光學(xué)元件的制備

3. 通過 KRI 聚焦型射頻 RFICP 380 碳化硅菲涅爾波帶片展現(xiàn)出良好的聚焦和成像效果

 

伯東是德國  , , , , 美國  , 美國, 美國  , 美國 Ambrell 和日本 NS 等進口品牌的指定代理商.

 

 

若您需要進一步的了解詳細信息或討論, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式:

上海伯東: 羅先生                               臺灣伯東: 王女士
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
                    

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鄭重聲明:資訊 【KRI 射頻離子源用于碳化硅微納結(jié)構(gòu)表面刻蝕】由 伯東企業(yè)(上海)有限公司 發(fā)布,版權(quán)歸原作者及其所在單位,其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)(企業(yè)庫www.5ix2s.cn)證實,請讀者僅作參考,并請自行核實相關(guān)內(nèi)容。若本文有侵犯到您的版權(quán), 請你提供相關(guān)證明及申請并與我們聯(lián)系(qiyeku # qq.com)或【在線投訴】,我們審核后將會盡快處理。
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