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東芝（toshiba）以2009年開發(fā)的bics—3d nand flash技術(shù)，從2014年季起開始小量試產(chǎn)，目標(biāo)在2015年前順利銜接現(xiàn)有1y、1z 技術(shù)的flash產(chǎn)品。為了后續(xù)3d nand flash的量產(chǎn)鋪路，東芝與新帝（sandisk）合資的日本三重縣四日市晶圓廠，期工程擴(kuò)建計(jì)劃預(yù)計(jì)2014年q3完工，q3順利進(jìn)入規(guī)?；a(chǎn)。而sk海力士與美光（micron）、英特爾（intel）陣營，也明確宣告各自3d nand flash的藍(lán)圖將接棒16 ，計(jì)劃于2014年q2送樣測試，快于年底量產(chǎn)。 由于3d nand flash存儲器的制造步驟、工序以及生產(chǎn)良率的提升，要比以往2d平面nand flash需要更長時間，且在應(yīng)用端與主芯片及系統(tǒng)整合的驗(yàn)證流程上也相當(dāng)耗時，故初期3d nand flash芯片將以少量生產(chǎn)為主，對整個移動設(shè)備與儲存市場上的替代效應(yīng)，在明年底以前應(yīng)該還看不到。 回購k9k場效應(yīng)管,海力士內(nèi)存,廠家?guī)齑娲袅?霍爾元件,各種電子元器件,電感系列,通信ic產(chǎn)品類ic,工廠庫存電子元件,現(xiàn)代4g內(nèi)存芯片,海力士flash芯片,電源ic,音效ic等等。
