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采用flash介質(zhì)時一個需要 考慮的問題是性。對于需要擴(kuò)展mtbf的系統(tǒng)來說,flash是非常合適的存儲方案?？梢詮膲勖?性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較nor和nand的性。
性
在nand閃存中每個塊的大擦寫次數(shù)是一百萬次,而nor的擦寫次數(shù)是十萬次。nand存儲器除了具有10比1的塊擦除周期勢,典型的nand塊尺寸要比nor器件小8倍,每個nand存儲器塊在給定的時間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。
易于使用
可以非常直接地使用基于nor的閃存,可以像其他存儲器那樣連接,并可以在上面直接運行代碼。
由于需要i/o接口,nand要復(fù)雜得多。各種nand器件的存取方法因廠家而異。
在使用nand器件時, 先寫入驅(qū)動程序,才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。向nand器件寫入需要相當(dāng)?shù)募记?,這就意味著在nand器件上自始至終都 進(jìn)行虛擬映射。
其他作用
驅(qū)動還用于對diskonchip產(chǎn)品進(jìn)行仿真和nand閃存的管理,包括糾錯、壞塊處理和損耗平衡。
高功率應(yīng)用興起帶來的挑戰(zhàn)們 滿足工業(yè)動力驅(qū)動或電動汽車不斷增長的功率需求。伺服電動機(jī)或洗衣機(jī)中的工業(yè)電機(jī)驅(qū)動器已經(jīng)開始普及。處理功率超過3千瓦的通用逆變器（gpi）越來越普遍。而且，電動汽車開始采用高壓電池（從400伏到800伏，甚至更高），從而為hvac使用新的功率拓?fù)浯蛲嘶A(chǔ)。 傳統(tǒng)上，會利用一個智能功率模塊，該模塊主要將igbt和二 管與下橋和上橋柵 驅(qū)動器結(jié)合在一起。這樣的集成器件簡化了pcb布局，占用了更少的空間，提高了性，提高了效率，并縮短了上市時間。然而，當(dāng)今市場上幾乎沒有針對在新型高壓電池上運行的ipm產(chǎn)品。同樣，只有少數(shù)ipm應(yīng)用于中高功率工業(yè)平臺。因此，例如用于hvac或伺服電動機(jī)的壓縮機(jī)的ipm將是復(fù)雜且昂貴的。 TSV358IDT LM2904PT LMV324IPT LM339PT TS861ILT LM324PT LMV358LIDT LM358ADT MAX2659ELT+T LM158DT LM311DT LMV324LIDT LM319DT LM2904WYDT LM219DT LM833DT LM258QT LM2903YPT LM2903WYDT LF351DT TS27L2CDT LM358PT LM358ST TL074IDT STD7NM80 LD1086DTTR STP7NK40Z