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采用flash介質(zhì)時一個需要 考慮的問題是性。對于需要擴(kuò)展mtbf的系統(tǒng)來說,flash是非常合適的存儲方案。可以從壽命(性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較nor和nand的性。
性
在nand閃存中每個塊的大擦寫次數(shù)是一百萬次,而nor的擦寫次數(shù)是十萬次。nand存儲器除了具有10比1的塊擦除周期勢,典型的nand塊尺寸要比nor器件小8倍,每個nand存儲器塊在給定的時間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。
易于使用
可以非常直接地使用基于nor的閃存,可以像其他存儲器那樣連接,并可以在上面直接運行代碼。
由于需要i/o接口,nand要復(fù)雜得多。各種nand器件的存取方法因廠家而異。
在使用nand器件時, 先寫入驅(qū)動程序,才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。向nand器件寫入需要相當(dāng)?shù)募记?,這就意味著在nand器件上自始至終都 進(jìn)行虛擬映射。
其他作用
驅(qū)動還用于對diskonchip產(chǎn)品進(jìn)行仿真和nand閃存的管理,包括糾錯、壞塊處理和損耗平衡。
驍龍870處理器采用4個a77大核+4個a55小核的架構(gòu)，其中主核頻率高可達(dá)3.2ghz。驍龍870具有成熟的架構(gòu)、更高的主頻性能。驍龍888處理器采用1個新的大核+3個a78大核+4個a55小核，其中主核頻率高可達(dá)2.84ghz，雖然主頻低于驍龍870，但高通公司認(rèn)為驍龍888僅憑搭配arm cortex-x1 的cpu設(shè)計就已經(jīng)讓驍龍888比驍龍865的計算能力提升25 ，而且同時減低了25 的電力損耗，用戶實際使用的體驗會于驍龍865。 LMV552MMX PH9130AL LMP7715MFX BYQ28E-200 BYV29FX-600 TMP512AIDR ADF4153BCPZ TDA9981BHL/8/C1 FAN2106MP ISP1104W PCA9535BS LM4120AIM5X-4.1 LP3470M5X-3.08 BFG505 MIC5235-3.3YM5 P4SMA30A-E3/61 LP3470M5-4.63 MIC2142YM5 LP3990MF-1.2 LP3990MFX-1.2 LM4050AEM3-5.0 PBSS4160T NUP4201MR6T1G