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東芝公司的發(fā)明人舛岡富士雄首先提出了快速閃存存儲(chǔ)器（此處簡(jiǎn)稱閃存）的概念。與傳統(tǒng)電腦內(nèi)存不同，閃存的特點(diǎn)是nvm，其記錄速度也非?？?。
intel是上個(gè)生產(chǎn)閃存并將其投放市場(chǎng)的公司。1988年，公司推出了一款256k bit閃存芯片。它如同鞋盒一樣大小，并被內(nèi)嵌于一個(gè)錄音機(jī)里，intel發(fā)明的這類閃存被統(tǒng)稱為nor閃存。它結(jié)合eprom和eeprom兩項(xiàng)技術(shù)，并擁有一個(gè)sram接口。
種閃存稱為nand閃存。它由日立公司于1989年研制，并被認(rèn)為是nor閃存的理想替代者。nand閃存的寫周期比nor閃存短90 ，它的保存與刪除處理的速度也相對(duì)較快。nand的存儲(chǔ)單元只有nor的一半，在更小的存儲(chǔ)空間中nand獲得了的性能。鑒于nand的表現(xiàn)，它常常被應(yīng)用于諸如compactflash、smartmedia、 sd、 mmc、 xd、&pc cards、usb sticks等存儲(chǔ)卡上。
nand 閃存的存儲(chǔ)單元采用串行結(jié)構(gòu)，存儲(chǔ)單元的讀寫是以頁和塊為單位來進(jìn)行（一頁包含若干字節(jié)，若干頁則組成儲(chǔ)存塊， nand 的存儲(chǔ)塊大小為 8 到 32kb ），這種結(jié)構(gòu)大的點(diǎn)在于容量可以做得很大，超過 512mb 容量的 nand 產(chǎn)品相當(dāng)普遍， nand 閃存的成本較低，有利于大規(guī)模普及。
nand 閃存的缺點(diǎn)在于讀速度較慢，它的 i/o 端口只有 8 個(gè)，比 nor 要少多了。這區(qū)區(qū) 8 個(gè) i/o 端口只能以信號(hào)輪流傳送的方式完成數(shù)據(jù)的傳送，速度要比 nor 閃存的并行傳輸模式慢得多。再加上 nand 閃存的邏輯為電子盤模塊結(jié)構(gòu)，內(nèi)部不存在專門的存儲(chǔ)控制器，一旦出現(xiàn)數(shù)據(jù)壞塊將無法修，性較 nor 閃存要差。
驍龍870處理器采用4個(gè)a77大核+4個(gè)a55小核的架構(gòu)，其中主核頻率高可達(dá)3.2ghz。驍龍870具有成熟的架構(gòu)、更高的主頻性能。驍龍888處理器采用1個(gè)新的大核+3個(gè)a78大核+4個(gè)a55小核，其中主核頻率高可達(dá)2.84ghz，雖然主頻低于驍龍870，但高通公司認(rèn)為驍龍888僅憑搭配arm cortex-x1 的cpu設(shè)計(jì)就已經(jīng)讓驍龍888比驍龍865的計(jì)算能力提升25 ，而且同時(shí)減低了25 的電力損耗，用戶實(shí)際使用的體驗(yàn)會(huì)于驍龍865。 GD32F103VCT6 GD32F303CCT6 GD32F303VCT6 GD32F305VCT6 PCI9056-BA66BIG QCPL-7847-500E QCPL-WB3N-560E ACHS-7122-500E ACPL-C790-500E ACPL-P480-500E HCPL-0601-500E TLC272IDR TMS320F28062PNT TPS7A7200QRGWREP TPS79850QDGNRQ1 TPS79801QDGNRQ1 LMH6645MFX/NOPB TMS320LF2406APZA IS42S32200L-6TLI IS25LP128F-JBLE-TR IS25LP256D-RMLE IS25LP512M-RMLE-TR IS25WP080D-JNLE IS25WQ040-JNLE-TR AO4803A AOL1412 DSPIC33EP16GS504-I/PT
