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采用flash介質時一個需要 考慮的問題是性。對于需要擴展mtbf的系統(tǒng)來說,flash是非常合適的存儲方案?？梢詮膲勖?性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較nor和nand的性。
性
在nand閃存中每個塊的大擦寫次數(shù)是一百萬次,而nor的擦寫次數(shù)是十萬次。nand存儲器除了具有10比1的塊擦除周期勢,典型的nand塊尺寸要比nor器件小8倍,每個nand存儲器塊在給定的時間內的刪除次數(shù)要少一些。
易于使用
可以非常直接地使用基于nor的閃存,可以像其他存儲器那樣連接,并可以在上面直接運行代碼。
由于需要i/o接口,nand要復雜得多。各種nand器件的存取方法因廠家而異。
在使用nand器件時, 先寫入驅動程序,才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。向nand器件寫入需要相當?shù)募记?,這就意味著在nand器件上自始至終都 進行虛擬映射。
其他作用
驅動還用于對diskonchip產品進行仿真和nand閃存的管理,包括糾錯、壞塊處理和損耗平衡。
ddr4較以往不同的是改采vddq的終端電阻設計，v- 目前計劃中的傳輸速率進展到3，200mbps，比目前高速的ddr3-2133傳輸速率快了50 ，將來不排除直達4，266mbps；bank數(shù)也大幅增加到16個（x4/x8）或8個（x16/32），這使得采x8設計的單一ddr4存儲器模組，容量就可達到16gb容量。 而ddr4運作電壓僅1.2v，比ddr3的1.5v低了至少20 ，也比ddr3l的1.35v還低，更比目前x86 ultrabook/tablet使用的低功耗lp-ddr3的1.25v還要低，再加上ddr4一次支援 省電技術（deep power down），進入休眠模式時無須更新存儲器，或僅直接更新dimm上的單一存儲器顆粒，減少35 ~50 的待機功耗。 GD32F103VCT6 GD32F303CCT6 GD32F303VCT6 GD32F305VCT6 PCI9056-BA66BIG QCPL-7847-500E QCPL-WB3N-560E ACHS-7122-500E ACPL-C790-500E ACPL-P480-500E HCPL-0601-500E TLC272IDR TMS320F28062PNT TPS7A7200QRGWREP TPS79850QDGNRQ1 TPS79801QDGNRQ1 LMH6645MFX/NOPB TMS320LF2406APZA IS42S32200L-6TLI IS25LP128F-JBLE-TR IS25LP256D-RMLE IS25LP512M-RMLE-TR IS25WP080D-JNLE IS25WQ040-JNLE-TR AO4803A AOL1412 DSPIC33EP16GS504-I/PT