25小時(shí)在線 158-8973同步7035 可微可電相信大家都知道，在芯片產(chǎn)業(yè)鏈共分為idm、foundry、fabless三種模式，其中fabless則指芯片設(shè)計(jì)廠商，只設(shè)計(jì)芯片不生產(chǎn)制造芯片產(chǎn)品，如華為、高通、聯(lián)發(fā)科、蘋(píng)果等，而foundry則指芯片代工廠商，只具備芯片生產(chǎn)制造能力，并不具備芯片設(shè)計(jì)能力，如臺(tái)積電、中芯、華虹半導(dǎo)體等等，而實(shí)力強(qiáng)的則是idm芯片模式，具備了芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、芯片封測(cè)等 能力，從設(shè)計(jì)到后生產(chǎn)制造部都能夠自己搞定，比如intel、三星等，或許也是因?yàn)檎麄€(gè)芯片產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)門(mén)檻較高，所以國(guó)內(nèi)芯片廠商 的都只是fabless廠商，而idm芯片廠商則更少。
  而就在段時(shí)間，國(guó)內(nèi)手機(jī)odm聞泰科技直接并購(gòu)了安世半導(dǎo)體，安世半導(dǎo)體作為汽車(chē)領(lǐng)域的idm芯片，也是功率半導(dǎo)體企業(yè)，這也意味著聞泰科技是國(guó)內(nèi)甚至是強(qiáng)的idm芯片，自己可以搞定芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、芯片封測(cè)等 能力。
隨著采用傳統(tǒng)2d平面制程技術(shù)的nand flash即將nand flash大廠紛紛開(kāi)始采用3d堆疊制程技術(shù)來(lái)增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆疊nand設(shè)計(jì)概念，同年samsung也發(fā)表stacked nand堆疊式快閃存儲(chǔ)器，2007年?yáng)|芝發(fā)表bics，2009年?yáng)|芝發(fā)表p-bics、三星發(fā)表tcat、vg-nand與vsat，2010年旺宏發(fā)表vg tft，2011發(fā)表pnvg tft，同年hynix也發(fā)表hybrid 3d技術(shù)。2010年vlsi研討會(huì)，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技術(shù)裝置的vg（垂直閘） 3d nand技術(shù)。預(yù)計(jì)2012年進(jìn)入55nm制程，2013年進(jìn)入36nm制程，2015年進(jìn)入2xnm制程，制程進(jìn)度落后其他大廠甚多。  三星（samsung）同樣于2006年發(fā)表stacked nand，2009年進(jìn)一步發(fā)表垂直通道tcat與水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星發(fā)布名為v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技術(shù)和垂直堆疊單元結(jié)構(gòu)，單一芯片可以集結(jié)、堆疊出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多兩倍，性、寫(xiě)入速度也比20nm制程nand flash還高。三星目前在3d-nand flash應(yīng)用進(jìn)度其他業(yè)者，v-nand制造基地將以韓國(guó)廠與新設(shè)立的西安廠為主。其v-nand目標(biāo)直接揮軍伺服器等級(jí)固態(tài)硬碟，從2013年 四季開(kāi)始，陸續(xù)送樣給伺服器業(yè)者或是資料 制造商進(jìn)行測(cè)試。  ADS1246IPWR TS5A4624DCKT TS5A4624DCKR TS5A3157DBVR TS5A3159ADBVT TS5A9411DCKT LMP8645HVMKE/NOPB INA168NA/3K TPS22944DCKR LM2664M6X/NOPB TPS22904YFPT TPS2559DRCR TPS22944DCKR LPC1112FHN33/102 LPC1343FHN33 FSEZ1317MY LMH6643MAX AD7541AKR HEF4013BP ADM213EARSZ LTC7510EUH NCP6336BFCCT1G