25小時(shí)在線(xiàn) 158-8973同步7035 可微可電羅姆集團(tuán)與意法半導(dǎo)體就碳化硅(sic)晶圓長(zhǎng)期供貨事宜達(dá)成協(xié)議
半導(dǎo)體制造商羅姆和意法半導(dǎo)體（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“st”），雙方就碳化硅（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“sic”）晶圓由羅姆集團(tuán)旗下的sicrystal gmbh （以下簡(jiǎn)稱(chēng)“sicrystal”）供應(yīng)事宜達(dá)成長(zhǎng)期供貨協(xié)議。在sic功率元器件快速發(fā)展及其需求高速增長(zhǎng)的大背景下，雙方達(dá)成超1.2億美元的協(xié)議，由sicrystal（sic晶圓生產(chǎn)量歐洲）向st（面向眾多電子設(shè)備提供半導(dǎo)體的性半導(dǎo)體制造商）供應(yīng)的150mm sic晶圓。
2月小米發(fā)布gan充電器65w
小米在2月新品直播發(fā)布會(huì)上，發(fā)布了小米gan充電器type-c 65w，采用氮化，高支持65w疾速充電，搭配小米10 pro可實(shí)現(xiàn)50w快充，體積小巧便攜。
臺(tái)積電將與意法半導(dǎo)體合作，加速gan制程技術(shù)開(kāi)發(fā)
臺(tái)積電與意法半導(dǎo)體合作加速市場(chǎng)采用氮化產(chǎn)品。意法半導(dǎo)體預(yù)計(jì)今年晚些時(shí)候?qū)⒔唤o客戶(hù)。臺(tái)積電與意法半導(dǎo)體將合作加速氮化（gallium nitride, gan）制程技術(shù)的開(kāi)發(fā)，并將分離式與整合式氮化元件導(dǎo)入市場(chǎng)。透過(guò)此合作，意法半導(dǎo)體將采用臺(tái)積公司的氮化制程技術(shù)來(lái)生產(chǎn)其氮化產(chǎn)品。
英飛凌新增650v產(chǎn)品系列，完備硅、碳化硅和氮化3種技術(shù)
英飛凌科技（infineon）持續(xù)擴(kuò)展其方位的碳化硅（sic）產(chǎn)品組合，新增650v產(chǎn)品系列。英飛凌新發(fā)表的coolsic mosfet能滿(mǎn)足廣泛應(yīng)用對(duì)于能源效率、功率密度和度不斷提升的需求，包括：服務(wù)器、電信和工業(yè)smps、太陽(yáng)能系統(tǒng)、能源儲(chǔ)存和化成電池、ups、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)以及電動(dòng)車(chē)充電等。英飛凌電源管理與多元電子事業(yè)處高壓轉(zhuǎn)換部門(mén)協(xié)理steffen metzger說(shuō)，推出這項(xiàng)產(chǎn)品后，英飛凌在600v/650v電源領(lǐng)域完備了硅、碳化硅和氮化（gan）型功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合。
nand flash沒(méi)有采取內(nèi)存的隨機(jī)讀取技術(shù)，它的讀取是以一次讀取一塊的形式來(lái)進(jìn)行的，通常是一次讀取512個(gè)字節(jié)，采用這種技術(shù)的flash比較廉價(jià)。用戶(hù)不能直接運(yùn)行nand flash上的代碼，因此好多使用nand flash的開(kāi)發(fā)板除了使用nand flah以外，還作上了一塊小的nor flash來(lái)運(yùn)行啟動(dòng)代碼。  nand結(jié)構(gòu)能提供 高的單元密度，可以達(dá)到高存儲(chǔ)密度，并且寫(xiě)入和擦除的速度也很快。應(yīng)用nand的困難在于flash的管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。一般小容量的用nor flash，因?yàn)槠渥x取速度快，多用來(lái)存儲(chǔ)操作系統(tǒng)等重要，而大容量的用nand flash。 TS391RILT TSV734IPT TSX3702IST VN340SPTR-E VN5025AJTR-E VN5E050J-E VN800PSTR-E VND5025AK-E VND5E025AKTR-E VND600SPTR-E VNP35NV04-E VNQ5E160AKTR-E ULN2069B ULN2074B VIPER06HN VIPER26LN VIPER35LD VN340SP-33-E VND7NV04-E VNQ600PTR-E X-NUCLEO-IKA01A1 SMC30J33CA VN808CM-32-E VN808CM-E VN820SP-E