25小時(shí)在線 158-8973同步7035 可微可電去年由于原因?qū)е缕囆袠I(yè)芯片缺貨，之后芯片缺貨問(wèn)題蔓延到了手機(jī)行業(yè)；對(duì)于大部分手機(jī)廠商來(lái)說(shuō)，芯片缺貨已經(jīng)是今年大的問(wèn)題，甚至沒(méi)有之一；各大手機(jī)廠商推出的5g手機(jī)目前很難“”銷售，小宅對(duì)各大電商平臺(tái)以及線下市場(chǎng)調(diào)查之后發(fā)現(xiàn)，目前“”銷售的5g手機(jī)，似乎只有一款。
蘋(píng)果公司去年推出了新的5g智能手機(jī)iphone12系列，該系列機(jī)器通過(guò)搭載蘋(píng)果a14芯片+驍龍x55基帶的組合方式來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)“雙?！?g網(wǎng)絡(luò)的支持；截止到目前，iphone12系列“”銷售，絕大部分的配色和版本都是都可以直接購(gòu)買的，并不需要消費(fèi)者。
芯片“缺貨”問(wèn)題對(duì)于android手機(jī)廠商來(lái)說(shuō)已經(jīng)無(wú)法避免，但蘋(píng)果似乎并不害怕芯片缺貨問(wèn)題；目前臺(tái)積電5nm工藝制式的產(chǎn)線大都排給了蘋(píng)果，所以蘋(píng)果可以放心使用a14芯片，相比缺貨的驍龍888芯片和麒麟9000芯片，蘋(píng)果a14芯片可能是今年出貨量高的5g芯片了。
隨著采用傳統(tǒng)2d平面制程技術(shù)的nand flash即將nand flash大廠紛紛開(kāi)始采用3d堆疊制程技術(shù)來(lái)增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆疊nand設(shè)計(jì)概念，同年samsung也發(fā)表stacked nand堆疊式快閃存儲(chǔ)器，2007年?yáng)|芝發(fā)表bics，2009年?yáng)|芝發(fā)表p-bics、三星發(fā)表tcat、vg-nand與vsat，2010年旺宏發(fā)表vg tft，2011發(fā)表pnvg tft，同年hynix也發(fā)表hybrid 3d技術(shù)。2010年vlsi研討會(huì)，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技術(shù)裝置的vg（垂直閘） 3d nand技術(shù)。預(yù)計(jì)2012年進(jìn)入55nm制程，2013年進(jìn)入36nm制程，2015年進(jìn)入2xnm制程，制程進(jìn)度落后其他大廠甚多。  三星（samsung）同樣于2006年發(fā)表stacked nand，2009年進(jìn)一步發(fā)表垂直通道tcat與水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星發(fā)布名為v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技術(shù)和垂直堆疊單元結(jié)構(gòu)，單一芯片可以集結(jié)、堆疊出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多兩倍，性、寫(xiě)入速度也比20nm制程nand flash還高。三星目前在3d-nand flash應(yīng)用進(jìn)度其他業(yè)者，v-nand制造基地將以韓國(guó)廠與新設(shè)立的西安廠為主。其v-nand目標(biāo)直接揮軍伺服器等級(jí)固態(tài)硬碟，從2013年 四季開(kāi)始，陸續(xù)送樣給伺服器業(yè)者或是資料 制造商進(jìn)行測(cè)試。  回收maxim微控制器芯片回收韋克威進(jìn)口新年份芯片回收GENESIS起源微封裝QFN進(jìn)口芯片回收Marvell發(fā)動(dòng)機(jī)管理芯片回收安森美聲卡芯片回收ROHM手機(jī)存儲(chǔ)芯片回收松下手機(jī)存儲(chǔ)芯片回收kingbri收音IC 回收adi集成電路芯片回收ONMOS管場(chǎng)效應(yīng)管回收東芝路由器交換器芯片回收SGMICRO圣邦微集成電路芯片回收PARADE譜瑞芯片回收亞德諾路由器交換器芯片回收RENESAS升壓IC 回收中芯降壓恒溫芯片回收beiling汽車電腦板芯片回收beiling穩(wěn)壓器IC 回收飛利浦DOP封裝芯片回收NXP穩(wěn)壓器IC 回收松下MOS管回收TAIYO/太誘降壓恒溫芯片回收kingbri聲卡芯片