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采用flash介質(zhì)時一個需要 考慮的問題是性。對于需要擴(kuò)展mtbf的系統(tǒng)來說,flash是非常合適的存儲方案。可以從壽命(性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較nor和nand的性。
性
在nand閃存中每個塊的大擦寫次數(shù)是一百萬次,而nor的擦寫次數(shù)是十萬次。nand存儲器除了具有10比1的塊擦除周期勢,典型的nand塊尺寸要比nor器件小8倍,每個nand存儲器塊在給定的時間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。
易于使用
可以非常直接地使用基于nor的閃存,可以像其他存儲器那樣連接,并可以在上面直接運(yùn)行代碼。
由于需要i/o接口,nand要復(fù)雜得多。各種nand器件的存取方法因廠家而異。
在使用nand器件時, 先寫入驅(qū)動程序,才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。向nand器件寫入需要相當(dāng)?shù)募记?,這就意味著在nand器件上自始至終都 進(jìn)行虛擬映射。
其他作用
驅(qū)動還用于對diskonchip產(chǎn)品進(jìn)行仿真和nand閃存的管理,包括糾錯、壞塊處理和損耗平衡。
ddr4較以往不同的是改采vddq的終端電阻設(shè)計，v- 目前計劃中的傳輸速率進(jìn)展到3，200mbps，比目前高速的ddr3-2133傳輸速率快了50 ，將來不排除直達(dá)4，266mbps；bank數(shù)也大幅增加到16個（x4/x8）或8個（x16/32），這使得采x8設(shè)計的單一ddr4存儲器模組，容量就可達(dá)到16gb容量。 而ddr4運(yùn)作電壓僅1.2v，比ddr3的1.5v低了至少20 ，也比ddr3l的1.35v還低，更比目前x86 ultrabook/tablet使用的低功耗lp-ddr3的1.25v還要低，再加上ddr4一次支援 省電技術(shù)（deep power down），進(jìn)入休眠模式時無須更新存儲器，或僅直接更新dimm上的單一存儲器顆粒，減少35 ~50 的待機(jī)功耗。 回收瑞薩聲卡芯片回收PANASONICMCU電源IC 回收愛特梅爾芯片回收idtADAS處理器芯片回收NIKO-SEM尼克森DOP封裝芯片回收toshiba手機(jī)存儲芯片回收NXP電源監(jiān)控IC 回收kingbri隔離恒溫電源IC 回收東芝微控制器芯片回收PANASONIC路由器交換器芯片回收中芯SOP封裝IC 回收艾瓦特路由器交換器芯片回收atheros全新整盤芯片回收矽力杰電源監(jiān)控IC 回收IRSOP封裝IC 回收iwatte/dialog邏輯IC 回收NIKO-SEM尼克森aurix芯片回收MARVELLDOP封裝芯片回收ELITECHIP降壓恒溫芯片回收maxim/美信封裝QFP芯片回收ELITECHIP微控制器芯片回收SAMSUNG隔離恒溫電源IC 回收NS藍(lán)牙IC 回收PANASONIC穩(wěn)壓管理IC 回收HOLTEK合泰邏輯IC 回收GENESIS起源微開關(guān)電源IC 回收RENESAS進(jìn)口IC 回收arvinSOP封裝IC 回收ST意法WIFI芯片回收矽力杰車充降壓IC 回收GENESIS起源微SOP封裝IC 回收iwatte/dialogWIFI芯片回收PANASONIC封裝sot23-5封裝芯片
