25小時(shí)在線 158-8973同步7035 可微可電 6:電容的識(shí)別(1)、貼片電容有:貼片鉭電容、貼片瓷片容、 紙多層貼片電容、貼片電解電容。貼片瓷片電容:體積小，無 性，無絲印。基本單位pf紙多層貼片電容:與貼片瓷片電容基本相同，材質(zhì)紙質(zhì)?；締挝?為pf,但此電容容量一般在uf級(jí)。
貼片電解電容:絲印印有容量、耐壓和 性標(biāo)示。其基本單位為f。
7:電感元件的識(shí)別常見貼片元件尺寸規(guī)范介紹
在貼片元件的尺寸上為了讓所有廠家生產(chǎn)的元件之間有 的通用性，上各大廠家進(jìn)行了尺寸要求的規(guī)范工作，形成了相應(yīng)的尺寸系列。其中在不同采用不同的單位基準(zhǔn)主要有公制和英制，對(duì)應(yīng)關(guān)系如下表:
注:1)此處的0201表0.02x0.01inch,其他相同;
2)在材料中還有其它尺寸規(guī)格例如:0202 、0303、0504、1808、1812、2211、2220等等，但是在實(shí)際使用中使用范圍并不廣泛所以不做介紹。
3)對(duì)于實(shí)際應(yīng)用中各種對(duì)尺寸的稱呼有所不同，一般情況下使用英制單位稱呼為多，例如一般我們?cè)诠ぷ髦袝?huì)說用的是0603的電容，也有時(shí)使用公制單位例如說用1608的電容此時(shí)使用的就是公制單位 。
5隨著采用傳統(tǒng)2d平面制程技術(shù)的nand flash即將nand flash大廠紛紛開始采用3d堆疊制程技術(shù)來增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆疊nand設(shè)計(jì)概念，同年samsung也發(fā)表stacked nand堆疊式快閃存儲(chǔ)器，2007年東芝發(fā)表bics，2009年東芝發(fā)表p-bics、三星發(fā)表tcat、vg-nand與vsat，2010年旺宏發(fā)表vg tft，2011發(fā)表pnvg tft，同年hynix也發(fā)表hybrid 3d技術(shù)。2010年vlsi研討會(huì)，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技術(shù)裝置的vg（垂直閘） 3d nand技術(shù)。預(yù)計(jì)2012年進(jìn)入55nm制程，2013年進(jìn)入36nm制程，2015年進(jìn)入2xnm制程，制程進(jìn)度落后其他大廠甚多。  三星（samsung）同樣于2006年發(fā)表stacked nand，2009年進(jìn)一步發(fā)表垂直通道tcat與水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星發(fā)布名為v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技術(shù)和垂直堆疊單元結(jié)構(gòu)，單一芯片可以集結(jié)、堆疊出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多兩倍，性、寫入速度也比20nm制程nand flash還高。三星目前在3d-nand flash應(yīng)用進(jìn)度其他業(yè)者，v-nand制造基地將以韓國(guó)廠與新設(shè)立的西安廠為主。其v-nand目標(biāo)直接揮軍伺服器等級(jí)固態(tài)硬碟，從2013年 四季開始，陸續(xù)送樣給伺服器業(yè)者或是資料 制造商進(jìn)行測(cè)試。  回收TAIYO/太誘進(jìn)口IC 回收英飛凌芯片回收maxim/美信信號(hào)放大器回收silergy網(wǎng)口IC芯片回收infineon發(fā)動(dòng)機(jī)管理芯片回收adi計(jì)算機(jī)芯片回收semtech網(wǎng)口IC芯片回收安森美驅(qū)動(dòng)IC 回收威世降壓恒溫芯片回收NXP汽車電腦板芯片回收PARADE譜瑞手機(jī)存儲(chǔ)芯片回收中芯汽車主控芯片回收MICRON/美光BGA芯片回收艾瓦特穩(wěn)壓器IC 回收飛思卡爾MOS管場(chǎng)效應(yīng)管回收silergy邏輯IC 回收鑫華微創(chuàng)WIFI芯片回收WINBOND華邦MCU電源IC 回收MARVELLWIFI芯片回收PARADE譜瑞車充降壓IC 回收silergy穩(wěn)壓器IC 回收GENESIS起源微電源管理IC 回收intel路由器交換器芯片