25小時在線 158-8973同步7035 可微可電美國英特爾公司和艾亞實驗室將teraphy硅基光學(xué)輸入/輸出芯粒集成到現(xiàn)場可編程門陣列中，將光信號傳輸元件封裝至芯片內(nèi)部，標(biāo)志著封裝內(nèi)光互連技術(shù)取得突破性進展。集成方案是：將teraphy芯粒與現(xiàn)場可編程門陣列“接口數(shù)據(jù)總線”接口的24個通道相連接，利用“嵌入式多芯片互連橋接”技術(shù)將二者封裝在一起，構(gòu)建封裝內(nèi)集成光學(xué)元件的多芯片模塊。與電互連相比，光互連帶寬密度提高1000倍，功耗降低至1/10。該技術(shù)有望實現(xiàn)100太比特/秒的數(shù)據(jù)傳輸速率，大幅提升封裝內(nèi)芯片間的數(shù)據(jù)傳輸能力，滿足裝備大數(shù)據(jù)處理需求。
二、darpa三維系統(tǒng)芯片進入產(chǎn)業(yè)化階段
2020年8月，darpa三維系統(tǒng)芯片開始從實驗室成果轉(zhuǎn)向產(chǎn)業(yè)化。產(chǎn)業(yè)化階段，darpa將在天水公司200毫米晶圓碳基芯片生產(chǎn)線上，應(yīng)用碳 管晶體管三維系統(tǒng)芯片制造工藝， 改進芯片品質(zhì)，提升芯片良率，化芯片性能，提高邏輯功能密度。三維系統(tǒng)芯片集邏輯運算、數(shù)據(jù)存儲功能于一身，可實現(xiàn)高帶寬數(shù)據(jù)傳輸，提高計算性能，降低運行功耗，將大幅加速人工智能算法和計算，對美國鞏固勢意義重大。
三、美國開發(fā)出高靈敏芯片級激光陀螺儀
2020年3月，美國加州理工學(xué)院研發(fā)出高靈敏度芯片級激光陀螺儀，靈敏度比其他芯片級陀螺儀高數(shù)十至上百倍。該陀螺儀碟形布里淵諧振腔由---q值超過1億的硅基二氧化硅制成，自由光譜諧振值1.808吉赫。測試表明，芯片級激光陀螺儀具有高靈敏、高集成性、高魯棒性、強抗沖擊性等特點，在微型、可穿戴設(shè)備及其他---平臺上具有廣闊應(yīng)用前景。
四、美國開發(fā)出基于憶阻器陣列的三維計算電路
2020年5月，美空軍研究實驗室與馬薩諸塞大---合研發(fā)出一種三維計算電路。其由八層憶阻器陣列構(gòu)成，采用了新的電路架構(gòu)設(shè)計，可直接實現(xiàn) 神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)功能。八層憶阻器陣列由若干個彼此物理隔離的憶阻器行組構(gòu)成，每個行組包含八層憶阻器，層與層呈階梯式交錯堆疊搭接，每個憶阻器僅與相鄰少量憶阻器共用電 ，減少了相關(guān)干擾，大幅 了“潛在通路”效應(yīng)，有利于實現(xiàn)大規(guī)模憶阻器陣列集成。該三維計算電路計算速度和能效大幅提升，為人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)等計算技術(shù)，以及神經(jīng)形態(tài)硬件設(shè)計提供了新的技術(shù)途徑。
隨著采用傳統(tǒng)2d平面制程技術(shù)的nand flash即將nand flash大廠紛紛開始采用3d堆疊制程技術(shù)來增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆疊nand設(shè)計概念，同年samsung也發(fā)表stacked nand堆疊式快閃存儲器，2007年東芝發(fā)表bics，2009年東芝發(fā)表p-bics、三星發(fā)表tcat、vg-nand與vsat，2010年旺宏發(fā)表vg tft，2011發(fā)表pnvg tft，同年hynix也發(fā)表hybrid 3d技術(shù)。2010年vlsi研討會，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技術(shù)裝置的vg（垂直閘） 3d nand技術(shù)。預(yù)計2012年進入55nm制程，2013年進入36nm制程，2015年進入2xnm制程，制程進度落后其他大廠甚多。  三星（samsung）同樣于2006年發(fā)表stacked nand，2009年進一步發(fā)表垂直通道tcat與水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星發(fā)布名為v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技術(shù)和垂直堆疊單元結(jié)構(gòu)，單一芯片可以集結(jié)、堆疊出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多兩倍，性、寫入速度也比20nm制程nand flash還高。三星目前在3d-nand flash應(yīng)用進度其他業(yè)者，v-nand制造基地將以韓國廠與新設(shè)立的西安廠為主。其v-nand目標(biāo)直接揮軍伺服器等級固態(tài)硬碟，從2013年 四季開始，陸續(xù)送樣給伺服器業(yè)者或是資料 制造商進行測試。  回收TAIYO/太誘進口IC 回收英飛凌芯片回收maxim/美信信號放大器回收silergy網(wǎng)口IC芯片回收infineon發(fā)動機管理芯片回收adi計算機芯片回收semtech網(wǎng)口IC芯片回收安森美驅(qū)動IC 回收威世降壓恒溫芯片回收NXP汽車電腦板芯片回收PARADE譜瑞手機存儲芯片回收中芯汽車主控芯片回收MICRON/美光BGA芯片回收艾瓦特穩(wěn)壓器IC 回收飛思卡爾MOS管場效應(yīng)管回收silergy邏輯IC 回收鑫華微創(chuàng)WIFI芯片回收WINBOND華邦MCU電源IC 回收MARVELLWIFI芯片回收PARADE譜瑞車充降壓IC 回收silergy穩(wěn)壓器IC 回收GENESIS起源微電源管理IC 回收intel路由器交換器芯片