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廣州回收MICRON美光閃存內(nèi)存K9F1G08U0C-PIB0

作者:深圳市東域電子有限公司 來源:dongtadianzi 發(fā)布時間:2023-05-03 瀏覽:10

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中芯發(fā)布公告稱,公司就購買用于生產(chǎn)晶圓的阿斯麥產(chǎn)品與阿斯麥集團(tuán)簽訂購買單,根據(jù)阿斯麥購買單購買的阿斯麥產(chǎn)品定價,阿斯麥購買單的總代價為 1201590 美元。這部分主要為 duv 光刻機(jī)。
今日,據(jù)財聯(lián)社,透露,中芯正在努力重新獲得訂單,是其 14nm finfet 工藝訂單。(it之家注:finfet 工藝是指鰭式場效應(yīng)晶體管工藝,該工藝可大幅電路控制并減少漏電流,還可以大幅晶體管的柵長。)it之家了解到,3 月 10 日,據(jù)選股寶,從供應(yīng)鏈獲悉,中芯 14nm 制程工藝產(chǎn)品良率已追平臺積電同等工藝,水準(zhǔn)達(dá)約 90 -95 。目前,中芯各制程產(chǎn)能滿載,部分成熟工藝訂單已排至 2022 年。
據(jù)中芯介紹,中芯是的集成電路晶圓代工企業(yè)之一,也是內(nèi)地技術(shù),配套完善,規(guī)模大,跨國經(jīng)營的集成電路制造企業(yè)。
中芯在上海建有一座 300mm 晶圓廠,一座 200mm 晶圓廠和一座實際控股的 300mm 設(shè)備制程晶圓合資廠;在北京建有一座 300mm 晶圓廠和一座控股的 300mm 晶圓廠;在天津和深圳各建有一座 200mm 晶圓廠;在江陰有一座控股的 300mm 合資廠。

 

根據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈的消息,臺積電也在研發(fā)3nm工藝,的是新工藝仍將采用finfet立體晶體管技術(shù),號稱與5nm工藝相比,晶體管密度將提高70 ,性能可提升11 ,或者功耗降低27 。從紙面參數(shù)來看,三星這一次似乎有望實現(xiàn)反超。不過三星還沒有公布3nm工藝的訂單情況,臺積電則基本確認(rèn),客戶會包括蘋果、amd、nvidia、聯(lián)發(fā)科、賽靈思、博通、高通等,貌似intel也有意尋求臺積電的工藝代工。臺積電預(yù)計將在2nm芯片上應(yīng)用gaafet技術(shù),要等待三年左右才能面世。 CY7C1650KV18-450BZC CY7C1415KV18-300BZXC CY7C1418KV18-250BZXC CY7C1520V18-200BZC TLC6C598QPWRQ1 VND7140AJTR AUIRS2191STR L9347LF-TR VNH7013XPTR-E TLE9180D-31QK TLD2331-3EP A4916KJPTR-T S9KEAZN16AMLC MMPF0100F0ANES MMPF0100F0AEP MC13892DJVL SPC560P44L3CEFAR SPC5743PK1AMLQ5R SPC560P50L3CEFAR IS45S32200L-7BLA2 VNN7NV04PTR-E VN5E025AJTR-E NCV2902DTBR2G

鄭重聲明:資訊 【廣州回收MICRON美光閃存內(nèi)存K9F1G08U0C-PIB0】由 深圳市東域電子有限公司 發(fā)布,版權(quán)歸原作者及其所在單位,其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)(企業(yè)庫www.5ix2s.cn)證實,請讀者僅作參考,并請自行核實相關(guān)內(nèi)容。若本文有侵犯到您的版權(quán), 請你提供相關(guān)證明及申請并與我們聯(lián)系(qiyeku # qq.com)或【在線投訴】,我們審核后將會盡快處理。
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