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中芯發(fā)布公告稱,公司就購買用于生產(chǎn)晶圓的阿斯麥產(chǎn)品與阿斯麥集團(tuán)簽訂購買單,根據(jù)阿斯麥購買單購買的阿斯麥產(chǎn)品定價(jià),阿斯麥購買單的總代價(jià)為 1201590 美元。這部分主要為 duv 光刻機(jī)。
今日,據(jù)財(cái)聯(lián)社,透露,中芯正在努力重新獲得訂單,是其 14nm finfet 工藝訂單。(it之家注:finfet 工藝是指鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管工藝,該工藝可大幅電路控制并減少漏電流,還可以大幅晶體管的柵長(zhǎng)。)it之家了解到,3 月 10 日,據(jù)選股寶,從供應(yīng)鏈獲悉,中芯 14nm 制程工藝產(chǎn)品良率已追平臺(tái)積電同等工藝,水準(zhǔn)達(dá)約 90 -95 。目前,中芯各制程產(chǎn)能滿載,部分成熟工藝訂單已排至 2022 年。
據(jù)中芯介紹,中芯是的集成電路晶圓代工企業(yè)之一,也是內(nèi)地技術(shù),配套完善,規(guī)模大,跨國(guó)經(jīng)營(yíng)的集成電路制造企業(yè)。
中芯在上海建有一座 300mm 晶圓廠,一座 200mm 晶圓廠和一座實(shí)際控股的 300mm 設(shè)備制程晶圓合資廠;在北京建有一座 300mm 晶圓廠和一座控股的 300mm 晶圓廠;在天津和深圳各建有一座 200mm 晶圓廠;在江陰有一座控股的 300mm 合資廠。
隨著nand flash制程進(jìn)步與線路寬度與間距的微縮,連帶影響到抹寫次數(shù)(p/e cycles)的縮減。slc存儲(chǔ)器從3x 制程的100,000次p/e cycles、4個(gè)ecc bit到2x 制程降為60,000 p/e、ecc 24bit。mlc從早期5x 制程10,000 p/e、ecc 8bit,到2x/2y 制程時(shí)已降為3,000 p/e、24~40個(gè)ecc bit。 有廠商提出,eslc、islc的存儲(chǔ)器解決方案,以運(yùn)用既有的低成本的mlc存儲(chǔ)器,在單一細(xì)胞電路單元使用slc讀寫技術(shù)(只儲(chǔ)存單一位元的電荷值),抹寫度提升到30,000次p/e,成本雖比mlc高,但遠(yuǎn)于slc,可應(yīng)用在ipc/kiosk/pos系統(tǒng)、嵌入式系統(tǒng)、伺服器主機(jī)板以及薄型終端機(jī)等。 AD8565AKSZ AD8226ARMZ ADA4891-2ARMZ AD8221ARMZ OP1177ARMZ OP282ARMZ OP2177ARMZ MAX176AMJA/883B AS0BC21-S40BM-7H SII9244BOTR K4P2E304EQ-PGC2 K3QF2F200E-XGCB MSM8230-3AB K3PE7E700B-XXC1 K3PE7E700M-BGC2 MPU-6051M SRV25-4-T7 MT53E256M32D2DS-053AIT:B AD8052ARMZ SCV7538B1 P2S56D40BTP KLMBG4GE2A-A001 TWL6032A1BBYFFR SKY77704-4 AD7477ARTZ AD7999YRJZ-1 ADG419BRMZ ADG736LBRMZ MAX1745AUB