VO2 薄膜作為一種熱門(mén)的功能材料, 具有優(yōu)秀的相變特性和電阻開(kāi)關(guān)特性, 在微測(cè)輻射熱計(jì)、光存儲(chǔ)器等光學(xué)器件領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景.
天津某材料制造商采用伯東 KRI 射頻 RFICP380 輔助磁控濺射沉積制備 VO2 薄膜, 以獲得均勻性好, 沾污少, 附著力強(qiáng), 較高的透過(guò)率的 VO2 薄膜.
KRI 射頻 RFICP380 技術(shù)參數(shù):
射頻型號(hào) |
RFICP380 |
Discharge 陽(yáng)極 |
射頻 RFICP |
離子束流 |
>1500 mA |
離子動(dòng)能 |
100-1200 V |
柵極直徑 |
30 cm Φ |
離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
流量 |
15-50 sccm |
通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型壓力 |
< 0.5m Torr |
長(zhǎng)度 |
39 cm |
直徑 |
59 cm |
中和器 |
LFN 2000 |
客戶(hù)采用 KRI 考夫曼射頻 RFCIP380 產(chǎn)生離子束不斷轟擊源極靶材和工件, 工件在離子束轟擊下迅速被加熱至高溫, 源極靶材在轟擊作用下濺射出的合金元素不斷奔向工件表面, 經(jīng)沉積擴(kuò)散過(guò)程形成一定厚度的涂層.
KRI 射頻 RFICP380 運(yùn)行結(jié)果:
1. 獲得的薄膜在可見(jiàn)光波段具有較高的透過(guò)率
2. 薄膜較為平整且對(duì)可見(jiàn)光的透過(guò)率較高為38%, 退火處理提高了薄膜的結(jié)晶性和透過(guò)率
3. 制備出單斜結(jié)構(gòu)的VO2薄膜, 且具有晶面擇優(yōu)取向
4. 制備的薄膜均勻性好, 沾污少, 附著力強(qiáng), 沉積速率大, 效率高, 產(chǎn)量高
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