純 Ti 薄膜具有優(yōu)異的力學(xué)性能、熱穩(wěn)定性、生物相容性和良好的抗摩擦磨損性, 被廣泛應(yīng)用于航空航天、醫(yī)療器械、光學(xué)和微電子器件等領(lǐng)域, 因此具有重要的研究價值.
西安某大學(xué)實驗室在納米純 Ti 薄膜的研究中, 采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 濺射沉積納米純 Ti 薄膜, 制備出的純Ti薄膜可集膜層致密光滑、沉積速率快和平均晶粒尺寸小于20nm等優(yōu)點.
伯東 KRI RFICP220 技術(shù)參數(shù):
型號 |
RFICP220 |
Discharge |
RFICP 射頻 |
離子束流 |
>800 mA |
離子動能 |
100-1200 V |
柵極直徑 |
20 cm Φ |
離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
流量 |
10-40 sccm |
通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型壓力 |
< 0.5m Torr |
長度 |
30 cm |
直徑 |
41 cm |
中和器 |
LFN 2000 |
* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量
該濺射沉積是在真空度為 9×10-5Pa—3×10-4Pa 的真空腔里, 通入氣流量為 70ml/min 的氬氣, 利用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 產(chǎn)生的氬離子轟擊靶材, 濺射沉積 Ti 膜層, 鍍膜持續(xù)時間30~90min; 完成鍍膜的樣品待冷卻后, 取出.
KRI 的獨特功能實現(xiàn)了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 技術(shù)的情況下是無法實現(xiàn)的.
因此, 該研究項目才采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積工藝.
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