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KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 鍍制紅外器件 ZnS 薄膜

作者:伯東企業(yè)(上海)有限公司 來(lái)源:hakuto 發(fā)布時(shí)間:2023-04-19 瀏覽:14

半導(dǎo)體廠商為了提高紅外器件 ZnS 薄膜厚度均勻性采用  KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380  輔助磁控濺射沉積設(shè)備鍍制紅外器件 ZnS 薄膜并采用動(dòng)態(tài)沉積的方法--樣品臺(tái)離心旋轉(zhuǎn)的方式補(bǔ)償或改善圓形磁控靶在正對(duì)的基片上沿徑向的濺射沉積不均勻分布.

 

KRI 射頻 RFICP380 技術(shù)參數(shù):

射頻型號(hào)

RFICP380

Discharge 陽(yáng)極

射頻 RFICP

離子束流

>1500 mA

離子動(dòng)能

100-1200 V

柵極直徑

30 cm Φ

離子束

聚焦平行散射

流量

15-50 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

長(zhǎng)度

39 cm

直徑

59 cm

中和器

LFN 2000

 

 

紅外器件金屬膜需要高均勻性的原因: 

紅外器件幾乎都要進(jìn)行表面鈍化和鍍制金屬膜在紅外焦平面和讀出電路的互連工藝中金屬膜的厚度均勻性對(duì)于互連工藝的可靠性起著至關(guān)重要的作用而在背照式紅外探測(cè)器的光接收面往往都要涂鍍一層或數(shù)層介質(zhì)膜以起到對(duì)器件進(jìn)行保護(hù)和對(duì)紅外輻射減反射的作用介質(zhì)膜的厚度均勻性同樣會(huì)影響探測(cè)器的濾光和接收帶寬

 

KRI 的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性而這些特性在不使用 KRI 技術(shù)的情況下是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的.

 

若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)信息或討論,  請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式:

上海伯東羅先生                               臺(tái)灣伯東王女士
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