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珠?;厥杖莾?nèi)存顆粒K4A4G165WF-BCTD

作者:深圳市東域電子有限公司 來(lái)源:dongtadianzi 發(fā)布時(shí)間:2023-04-14 瀏覽:14

25小時(shí)在線 158-8973同步7035 可微可電相信大家都知道,在芯片產(chǎn)業(yè)鏈共分為idm、foundry、fabless三種模式,其中fabless則指芯片設(shè)計(jì)廠商,只設(shè)計(jì)芯片不生產(chǎn)制造芯片產(chǎn)品,如華為、高通、聯(lián)發(fā)科、蘋果等,而foundry則指芯片代工廠商,只具備芯片生產(chǎn)制造能力,并不具備芯片設(shè)計(jì)能力,如臺(tái)積電、中芯、華虹半導(dǎo)體等等,而實(shí)力強(qiáng)的則是idm芯片模式,具備了芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、芯片封測(cè)等 能力,從設(shè)計(jì)到后生產(chǎn)制造部都能夠自己搞定,比如intel、三星等,或許也是因?yàn)檎麄€(gè)芯片產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)門檻較高,所以國(guó)內(nèi)芯片廠商 的都只是fabless廠商,而idm芯片廠商則更少。
  而就在段時(shí)間,國(guó)內(nèi)手機(jī)odm聞泰科技直接并購(gòu)了安世半導(dǎo)體,安世半導(dǎo)體作為汽車領(lǐng)域的idm芯片,也是功率半導(dǎo)體企業(yè),這也意味著聞泰科技是國(guó)內(nèi)甚至是強(qiáng)的idm芯片,自己可以搞定芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、芯片封測(cè)等 能力。
隨著采用傳統(tǒng)2d平面制程技術(shù)的nand flash即將nand flash大廠紛紛開(kāi)始采用3d堆疊制程技術(shù)來(lái)增加密度。旺宏(macronix)在2006年提出multi tft(thin film transistor)的堆疊nand設(shè)計(jì)概念,同年samsung也發(fā)表stacked nand堆疊式快閃存儲(chǔ)器,2007年?yáng)|芝發(fā)表bics,2009年?yáng)|芝發(fā)表p-bics、三星發(fā)表tcat、vg-nand與vsat,2010年旺宏發(fā)表vg tft,2011發(fā)表pnvg tft,同年hynix也發(fā)表hybrid 3d技術(shù)。2010年vlsi研討會(huì),旺宏公布以75 制程,tft be-sonos制程技術(shù)裝置的vg(垂直閘) 3d nand技術(shù)。預(yù)計(jì)2012年進(jìn)入55nm制程,2013年進(jìn)入36nm制程,2015年進(jìn)入2xnm制程,制程進(jìn)度落后其他大廠甚多。  三星(samsung)同樣于2006年發(fā)表stacked nand,2009年進(jìn)一步發(fā)表垂直通道tcat與水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月,三星發(fā)布名為v-nand的3d nand flash芯片,采用基于3d ctf(charge trap flash)技術(shù)和垂直堆疊單元結(jié)構(gòu),單一芯片可以集結(jié)、堆疊出128 gb的容量,比目前20nm平面nand flash多兩倍,性、寫入速度也比20nm制程nand flash還高。三星目前在3d-nand flash應(yīng)用進(jìn)度其他業(yè)者,v-nand制造基地將以韓國(guó)廠與新設(shè)立的西安廠為主。其v-nand目標(biāo)直接揮軍伺服器等級(jí)固態(tài)硬碟,從2013年 四季開(kāi)始,陸續(xù)送樣給伺服器業(yè)者或是資料 制造商進(jìn)行測(cè)試。  回收飛利浦網(wǎng)卡芯片回收ST意法進(jìn)口新年份芯片回收亞德諾MOS管場(chǎng)效應(yīng)管回收ti德州儀器電池充電管理芯片回收LINEAR芯片回收silergy汽車電腦板芯片回收凌特手機(jī)存儲(chǔ)芯片回收NIKO-SEM尼克森電池充電管理芯片回收kingbri進(jìn)口新年份芯片回收WINBOND華邦WIFI芯片回收TOSHIBA汽車電腦板芯片回收麗晶微傳感器芯片回收韋克威開(kāi)關(guān)電源IC 回收羅姆聲卡芯片回收英飛凌傳感器芯片回收idt音頻IC 回收艾瓦特電源管理IC 回收麗晶微BGA芯片回收Vincotech電源管理IC 回收艾瓦特封裝TO-220三極管回收飛利浦聲卡芯片回收maxim傳感器芯片回收亞德諾藍(lán)牙芯片回收威世MOS管場(chǎng)效應(yīng)管回收亞德諾發(fā)動(dòng)機(jī)管理芯片回收瑞昱封裝QFP144芯片回收ATMLE進(jìn)口新年份芯片回收HOLTEK合泰BGA芯片回收NIKO-SEM尼克森全新整盤芯片回收VISHAY聲卡芯片回收SAMSUNG收音IC 回收瑞昱封裝TO-220三極管回收idesyn收音IC 回收GENESIS起源微穩(wěn)壓管理IC 回收Vincotech穩(wěn)壓管理IC 回收飛思卡爾MOS管回收idt電池充電管理芯片回收kerost進(jìn)口新年份芯片回收GENESIS起源微MCU電源IC 回收kerost升壓IC 回收toshiba封裝sot23-5封裝芯片回收GENESIS起源微WIFI芯片回收飛思卡爾MCU電源IC 回收silergy芯片回收艾瓦特信號(hào)放大器回收arvin微控制器芯片

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