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25小時(shí)在線 158-8973同步7035 可微可電 ATMEGA32A-AU
W25Q64JVSIQ
NUC029LAN
STM32F401RCT6
TPS54202DDCR
STM32F030RCT6
ATMEGA16A-AU
ATMEGA128A-AU
TPS3116D2DADR
另一種稱為動(dòng)態(tài)ram（dynamic ram/dram），dram保留數(shù)據(jù)的時(shí)間很短，速度也比sram慢，不過(guò)它還是比的rom都要快，但從價(jià)格上來(lái)說(shuō)dram相比sram要便宜很多，計(jì)算機(jī)內(nèi)存就是dram的。
dram
dram分為很多種，常見(jiàn)的主要有fpram/fastpage、edoram、sdram、ddr ram、rdram、sgram以及wram等，這里介紹其中的一種ddr ram。
ddr ram（date-rate ram）也稱作ddr sdram，這種改進(jìn)型的ram和sdram是基本一樣的，不同之處在于它可以在一個(gè)時(shí)鐘讀寫兩次數(shù)據(jù)，這樣就使得數(shù)據(jù)傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得多的內(nèi)存，而且它有著成本勢(shì)，事實(shí)上擊敗了intel的另外一種內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)－rambus dram。在很多的顯卡上，也配備了高速ddr ram來(lái)提高帶寬，這可以大幅度提高3d加速卡的像素渲染能力。 隨著nand flash制程進(jìn)步與線路寬度與間距的微縮，連帶影響到抹寫次數(shù)（p/e cycles）的縮減。slc存儲(chǔ)器從3x 制程的100，000次p/e cycles、4個(gè)ecc bit到2x 制程降為60，000 p/e、ecc 24bit。mlc從早期5x 制程10，000 p/e、ecc 8bit，到2x/2y 制程時(shí)已降為3，000 p/e、24~40個(gè)ecc bit。 有廠商提出，eslc、islc的存儲(chǔ)器解決方案，以運(yùn)用既有的低成本的mlc存儲(chǔ)器，在單一細(xì)胞電路單元使用slc讀寫技術(shù)（只儲(chǔ)存單一位元的電荷值），抹寫度提升到30，000次p/e，成本雖比mlc高，但遠(yuǎn)于slc，可應(yīng)用在ipc／kiosk／pos系統(tǒng)、嵌入式系統(tǒng)、伺服器主機(jī)板以及薄型終端機(jī)等。回收iwatte/dialog手機(jī)存儲(chǔ)芯片回收瑞薩集成電路芯片回收infineon聲卡芯片回收INFINEON升壓IC 回收arvinMOS管場(chǎng)效應(yīng)管回收XilinxMOS管回收INFINEON原裝整盤IC 回收adi網(wǎng)卡芯片回收PANASONIC車充降壓IC 回收安森美邏輯IC 回收CJ長(zhǎng)電傳感器芯片回收MARVELLMOS管回收semiment汽車主控芯片回收INFINEONSOP封裝IC 回收英飛凌觸摸傳感器芯片回收semtech音頻IC 回收瑞昱微控制器芯片回收arvin集成電路芯片回收TOSHIBA進(jìn)口IC 回收中芯芯片回收凌特收音IC 回收芯成降壓恒溫芯片回收idesyn降壓恒溫芯片回收RENESAS封裝SOP20芯片
