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采用flash介質(zhì)時一個需要 考慮的問題是性。對于需要擴展mtbf的系統(tǒng)來說,flash是非常合適的存儲方案?？梢詮膲勖?性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較nor和nand的性。
性
在nand閃存中每個塊的大擦寫次數(shù)是一百萬次,而nor的擦寫次數(shù)是十萬次。nand存儲器除了具有10比1的塊擦除周期勢,典型的nand塊尺寸要比nor器件小8倍,每個nand存儲器塊在給定的時間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。
易于使用
可以非常直接地使用基于nor的閃存,可以像其他存儲器那樣連接,并可以在上面直接運行代碼。
由于需要i/o接口,nand要復(fù)雜得多。各種nand器件的存取方法因廠家而異。
在使用nand器件時, 先寫入驅(qū)動程序,才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。向nand器件寫入需要相當?shù)募记?,這就意味著在nand器件上自始至終都 進行虛擬映射。
其他作用
驅(qū)動還用于對diskonchip產(chǎn)品進行仿真和nand閃存的管理,包括糾錯、壞塊處理和損耗平衡。
意法半導(dǎo)體 系統(tǒng)的勢 stgik50ch65t早已公開，因此團隊可以為此做好準備。一旦發(fā)布了該器件，就可以直接使用熱仿真器（st powerstudio）和開發(fā)板（steval-ipm系列）開始工作。盡管一些大客戶已經(jīng)說出濃厚興趣，但為了使較小規(guī)模的團隊也可以盡快開始設(shè)計，我們將提供板及原理圖等資料，幫助更快地將產(chǎn)品推向市場。同時，熱仿真器將設(shè)計出滿足其性能、性和噪聲要求的冷卻系統(tǒng)。 L78L05ACD13TR STMPS2171STR UC2844BD1013TR L4931ABD50-TR LD59100PUR ST1S09IPUR LM317LD13TR MC34063EBD-TR ST1L05BPUR TSM1052 STM1061N26WX6F UC3842BD1013TR STPS6M100DEE-TR STPS20M100SG-TR STPS5H100BY-TR STPS745G-TR STPS140AY STTH2R02AFY STTH3L06S STTH2L06A STTH5L06 STTH30RQ06W STTH310RL STTH30RQ06G-TR