25小時(shí)在線 158-8973同步7035 可微可電羅姆集團(tuán)與意法半導(dǎo)體就碳化硅(sic)晶圓長(zhǎng)期供貨事宜達(dá)成協(xié)議
半導(dǎo)體制造商羅姆和意法半導(dǎo)體（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“st”），雙方就碳化硅（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“sic”）晶圓由羅姆集團(tuán)旗下的sicrystal gmbh （以下簡(jiǎn)稱(chēng)“sicrystal”）供應(yīng)事宜達(dá)成長(zhǎng)期供貨協(xié)議。在sic功率元器件快速發(fā)展及其需求高速增長(zhǎng)的大背景下，雙方達(dá)成超1.2億美元的協(xié)議，由sicrystal（sic晶圓生產(chǎn)量歐洲）向st（面向眾多電子設(shè)備提供半導(dǎo)體的性半導(dǎo)體制造商）供應(yīng)的150mm sic晶圓。
2月小米發(fā)布gan充電器65w
小米在2月新品直播發(fā)布會(huì)上，發(fā)布了小米gan充電器type-c 65w，采用氮化，高支持65w疾速充電，搭配小米10 pro可實(shí)現(xiàn)50w快充，體積小巧便攜。
臺(tái)積電將與意法半導(dǎo)體合作，加速gan制程技術(shù)開(kāi)發(fā)
臺(tái)積電與意法半導(dǎo)體合作加速市場(chǎng)采用氮化產(chǎn)品。意法半導(dǎo)體預(yù)計(jì)今年晚些時(shí)候?qū)⒔唤o客戶(hù)。臺(tái)積電與意法半導(dǎo)體將合作加速氮化（gallium nitride, gan）制程技術(shù)的開(kāi)發(fā)，并將分離式與整合式氮化元件導(dǎo)入市場(chǎng)。透過(guò)此合作，意法半導(dǎo)體將采用臺(tái)積公司的氮化制程技術(shù)來(lái)生產(chǎn)其氮化產(chǎn)品。
英飛凌新增650v產(chǎn)品系列，完備硅、碳化硅和氮化3種技術(shù)
英飛凌科技（infineon）持續(xù)擴(kuò)展其方位的碳化硅（sic）產(chǎn)品組合，新增650v產(chǎn)品系列。英飛凌新發(fā)表的coolsic mosfet能滿(mǎn)足廣泛應(yīng)用對(duì)于能源效率、功率密度和度不斷提升的需求，包括：服務(wù)器、電信和工業(yè)smps、太陽(yáng)能系統(tǒng)、能源儲(chǔ)存和化成電池、ups、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)以及電動(dòng)車(chē)充電等。英飛凌電源管理與多元電子事業(yè)處高壓轉(zhuǎn)換部門(mén)協(xié)理steffen metzger說(shuō)，推出這項(xiàng)產(chǎn)品后，英飛凌在600v/650v電源領(lǐng)域完備了硅、碳化硅和氮化（gan）型功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合。
根據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈的消息，臺(tái)積電也在研發(fā)3nm工藝，的是新工藝仍將采用finfet立體晶體管技術(shù)，號(hào)稱(chēng)與5nm工藝相比，晶體管密度將提高70 ，性能可提升11 ，或者功耗降低27 。從紙面參數(shù)來(lái)看，三星這一次似乎有望實(shí)現(xiàn)反超。不過(guò)三星還沒(méi)有公布3nm工藝的訂單情況，臺(tái)積電則基本確認(rèn)，客戶(hù)會(huì)包括蘋(píng)果、amd、nvidia、聯(lián)發(fā)科、賽靈思、博通、高通等，貌似intel也有意尋求臺(tái)積電的工藝代工。臺(tái)積電預(yù)計(jì)將在2nm芯片上應(yīng)用gaafet技術(shù)，要等待三年左右才能面世。 SIL9181CNU SKY74073-13 SKY77328-13 SN65HVD3083EDGS REF198GS-REEL REG710NA-5/3KG4 SC1097D SIL9687CNUC REF5050AIDGKR INA202AIDGKR INA204AIDGSR INA208AIDGSR TL1451ACNSR TL3845DR TPS61000DGSR TPS62300YZDR TPS79628DRBR TPS79425DGNR TPS79433DGNR NCP1215DR2 RH5VL36AA-T1