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東莞回收現(xiàn)代存儲器KLMAG2WEMB-B031

作者:深圳市東域電子有限公司 來源:dongtadianzi 發(fā)布時間:2023-04-10 瀏覽:7

25小時在線 158-8973同步7035 可微可電 ,當(dāng)前芯片產(chǎn)能緊張的狀況將進一步擴大,已經(jīng)影響到了高通公司向三星供貨。根據(jù),芯片短缺不僅影響到了中低端芯片,高通向三星 galaxy s21 系列手機供應(yīng)驍龍 888 soc 的能力也受到了。目前尚未知曉高通產(chǎn)能受影響的程度,但高通仍有信心實現(xiàn)季度的銷售目標(biāo)。
高通說,“將先 soc 芯片的供應(yīng),而不是的入門級芯片。”有一家不愿透露名稱的手機制造商說,由于高通公司一系列芯片皆供應(yīng)緊張,因此不得不削減智能手機的產(chǎn)能。
,小米盧偉冰此前也說,目前智能手機的芯片是 度短缺的。高通即將上任的 ceo cristiano amon 說,目前芯片供少于求的狀況原因之一的美國對華為的,導(dǎo)致手機廠商(如)不得不選擇其它公司的芯片。
除了手機 soc 這種高附加值芯片,目前電阻、電容、二 管等基礎(chǔ)元器件也面臨著不同程度的漲價,進一步提高了廠商的壓力。
micron自家市場統(tǒng)計預(yù)測指出,從2012到2016年總體nand flash容量應(yīng)用的年復(fù)合成長率可達51 。2013年,美光(micron)與sk hynix兩家晶圓廠,先后發(fā)表16nm制程的nand flash存儲器技術(shù),而東芝(toshiba)則在2014年直接跨入15nm制程,并推出相關(guān)nand flash存儲器芯片產(chǎn)品。  nand flash傳輸速率,從2010年onfi 2.0的133mb/s,emmc v4.41的104mb/s;到2011年onfi v2.2/toggle 1.0規(guī)格,傳輸速率提升到200mb/s,emmc v4.5拉高到200mb/s,ufs 1.0傳輸速率為2.9gbps;2012年onfi v3.0/toggle v1.5提升到400mb/s,ufs v2.0傳輸速率倍增為5.8gbps;預(yù)估到2015年,onfi v4.x/toggle v2.xx規(guī)格定義的傳輸速率增到800mb/s、1.6gb/s。  L5970D RT9385BGQW MT6161AN/C WM8728EDS BC57E687BU KLM4G1FE3B-B001 TDA18252HN CY7C66113C-PVXC UBA2014P LF353DR SGM8545XN5/TR OPA445AU PTMA210152MV1 LT1013DDR LF353P TLV2711IDBVR LF347DR S25FL512SAGMFVG13 PCF8563T/5 NJM2740V-TE1 TLC277CP DA9053-3FHA LT6654AIS6-2.5#TRMPBFTR-ND DRV8833RTY

鄭重聲明:資訊 【東莞回收現(xiàn)代存儲器KLMAG2WEMB-B031】由 深圳市東域電子有限公司 發(fā)布,版權(quán)歸原作者及其所在單位,其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)(企業(yè)庫www.5ix2s.cn)證實,請讀者僅作參考,并請自行核實相關(guān)內(nèi)容。若本文有侵犯到您的版權(quán), 請你提供相關(guān)證明及申請并與我們聯(lián)系(qiyeku # qq.com)或【在線投訴】,我們審核后將會盡快處理。
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