25小時(shí)在線 158-8973同步7035 可微可電電阻是應(yīng)用于各種電子設(shè)備的多的電阻類型，無論怎樣安裝，維修者都能方便的讀出其阻值，便于檢測和更換。但在實(shí)踐中發(fā)現(xiàn)，有些電阻的排列順序不甚分明，往往容易讀錯(cuò)，在識(shí)別時(shí)，可運(yùn)用如下技巧加以判斷：
技巧1：先找標(biāo)志誤差的，從而排定順序。常用的說電阻誤差的顏色是：金、銀、棕，尤其是金環(huán)和銀環(huán)，一般絕少用做電阻的環(huán)，所以在電阻上只要有金環(huán)和銀環(huán)，就可以基本認(rèn)定這是電阻的末一環(huán)。
技巧2：棕是否是誤差標(biāo)志的判別。棕既常用做誤差環(huán)，又常作為  數(shù)字環(huán)，且常常在環(huán)和末一環(huán)中同時(shí)出現(xiàn)，使人很難識(shí)別誰是環(huán)。在實(shí)踐中，可以按照之間的間隔加以判別：比如對于一個(gè)五道的電阻而言，  五環(huán)和  四環(huán)之間的間隔比環(huán)和環(huán)之間的間隔要寬一些，據(jù)此可判定的排列順序。
技巧3：在僅靠間距還無法判定順序的情況下，還可以利用電阻的生產(chǎn)序列值來加以判別。比如有一個(gè)電阻的讀序是：棕、黑、黑、黃、棕，其值為：100×10000=1MΩ誤差為1  ，屬于正常的電阻系列值，若是反順序讀：棕、黃、黑、黑、棕，其值為140×1Ω=140Ω，誤差為1  。顯然按照后一種排序所讀出的電阻值，在電阻的生產(chǎn)系列中是沒有的，故后一種順序是不對的。
隨著采用傳統(tǒng)2d平面制程技術(shù)的nand flash即將nand flash大廠紛紛開始采用3d堆疊制程技術(shù)來增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆疊nand設(shè)計(jì)概念，同年samsung也發(fā)表stacked nand堆疊式快閃存儲(chǔ)器，2007年東芝發(fā)表bics，2009年東芝發(fā)表p-bics、三星發(fā)表tcat、vg-nand與vsat，2010年旺宏發(fā)表vg tft，2011發(fā)表pnvg tft，同年hynix也發(fā)表hybrid 3d技術(shù)。2010年vlsi研討會(huì)，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技術(shù)裝置的vg（垂直閘） 3d nand技術(shù)。預(yù)計(jì)2012年進(jìn)入55nm制程，2013年進(jìn)入36nm制程，2015年進(jìn)入2xnm制程，制程進(jìn)度落后其他大廠甚多。  三星（samsung）同樣于2006年發(fā)表stacked nand，2009年進(jìn)一步發(fā)表垂直通道tcat與水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星發(fā)布名為v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技術(shù)和垂直堆疊單元結(jié)構(gòu)，單一芯片可以集結(jié)、堆疊出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多兩倍，性、寫入速度也比20nm制程nand flash還高。三星目前在3d-nand flash應(yīng)用進(jìn)度其他業(yè)者，v-nand制造基地將以韓國廠與新設(shè)立的西安廠為主。其v-nand目標(biāo)直接揮軍伺服器等級固態(tài)硬碟，從2013年 四季開始，陸續(xù)送樣給伺服器業(yè)者或是資料 制造商進(jìn)行測試。  TSV358IDT LM2904PT LMV324IPT LM339PT TS861ILT LM324PT LMV358LIDT LM358ADT MAX2659ELT+T LM158DT LM311DT LMV324LIDT LM319DT LM2904WYDT LM219DT LM833DT LM258QT LM2903YPT LM2903WYDT LF351DT TS27L2CDT LM358PT LM358ST TL074IDT STD7NM80 LD1086DTTR STP7NK40Z