25小時在線 158-8973同步7035 可微可電把萬用表的黑表筆（表內(nèi)正 ）搭觸二 管的正 ，，紅表筆（表內(nèi)負 ）搭觸二 管的負 。若表針不擺到0值而是停在標(biāo)度盤的中間，這時的阻值就是二 管的正向電阻，一般正向電阻越小越好。若正向電阻為0值，說明管芯短路損壞，若正向電阻接近無窮大值，說明管芯斷路。短路和斷路的管子都不能使用。
  2、反向特性測試
  把萬且表的紅表筆搭觸二 管的正 ，黑表筆搭觸二 管的負 ，若表針指在無窮大值或接近無窮大值，管子就是合格的。
二 管的應(yīng)用
  1、整流二 管
  利用二 管單向?qū)щ娦?，可以把方向交替變化的交流電變換成單一方向的脈動直流電。
  2、開關(guān)元件
  二 管在正向電壓作用下電阻很小，處于導(dǎo)通狀態(tài)，相當(dāng)于一只接通的開關(guān)；在反向電壓作用下，電阻很大，處于截止?fàn)顟B(tài)，如同一只斷開的開關(guān)。利用二 管的開關(guān)特性，可以組成各種邏輯電路。
  3、限幅元件
  二 管正向?qū)ê?，它的正向壓降基本保持不變（硅管?.7v，鍺管為0.3v）。利用這一特性，在電路中作為限幅元件，可以把信號幅度在一定范圍內(nèi)。
  4、繼流二 管
  在開關(guān)電源的電感中和繼電器等感性負載中起繼流作用。
  5、檢波二 管
  在收音機中起檢波作用。
  6、變?nèi)荻?管
  使用于電視機的中。
  
在一些非揮發(fā)性存儲器如相變存儲器（phase-change memory；pcm）、磁阻存儲器（ resistive memory；m-ram）、電阻存儲器（resistive memory；rram）等技術(shù)已蓄勢待發(fā)、即將邁向商業(yè)量產(chǎn)門檻之際，ddr4將可能是末代的ddr存儲器，屆時電腦與軟體結(jié)構(gòu)將會出現(xiàn) 為劇烈的變動。  nand flash逼近制程物理以提升容量密度  以浮閘式（floating gate）半導(dǎo)體電路所設(shè)計的nand flash非揮發(fā)性存儲器，隨著flash制程技術(shù)不斷進化、單位容量成本不斷下降的情況下，已經(jīng)在智慧手機、嵌入式裝置與工控應(yīng)用上大量普及。  MP1494SGJ-Z MP1496DJ-LF-Z MP1601GTF-Z MP1652GTF-Z MP2305DS-LF-Z MP2617BGL-Z SY8703ABC SY7301AADC OB3396AP SY7310AADC SY5018BFAC SY5830BABC SY5839ABC SY5867FAC MCP2551T-I/SN TJA1057GT/3 MCP2551T-I/SN TJA1042T/1J TJA1057GT/3 DPA424R-TL PCA82C251T/YM NRF52811-QCAA-R PN5321A3HN/C106 SYH407AAC PN5321A3HN/C106 APW8720BKAE-TRG M74HC4040RM13TR TJA1041T/CM MC74ACT125DR2G AD5694RBCPZ-RL7 TLV4112IDGNR DS2417P+TR MAX211IDWR STM32L151CBT6 STM32F030C8T6 STM32F207VCT6 STM32F051C8T6 STM32L052K8U6TR STM32F051C8T6 STM32P100R8SODTR STM32P100R8S0DTR STM32P10SODTR STM32P10S0DTR STM32F103R6H6 STM32L151R8H6 74VHC595MTCX YDA174-QZE2 TJA1042T/CM XC4VSX55-11FF1148I XC4VSX55-10FF1148I M25P64-VMF6TP AT24C64D-SSHM-T KMK7X000VM-B314 PIC18F25K80-I/SS HCS300-I/SN IRF7317TRPBF CM108B IRFB7537PBF ATTINY45-20SU LAN9514-JXZ MCP3201-BI/SN