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25小時(shí)在線 158-8973同步7035 可微可電
這三款新放大器的雙向檢測(cè)功能允許用一個(gè)電流檢測(cè)電路測(cè)量正反電流，有助于設(shè)計(jì)人員縮減物料清單成本。新產(chǎn)品還適用于高低邊兩種連接配置，允許高低邊共用相同型號(hào)的器件，從而簡(jiǎn)化庫(kù)存管理工作。
三款新產(chǎn)品的電源電壓均在2.7v-5.5v范圍內(nèi)，進(jìn)一步提高了應(yīng)用靈。寬輸入電壓容差允許新產(chǎn)品在電源電壓下檢測(cè)從-20v至70v的共模電壓電流。新產(chǎn)品具有高增益帶寬乘積和快速壓擺率(tsc2010的兩項(xiàng)參數(shù)分別為820khz和7.5v/μs)，測(cè)量精度高。
三款新產(chǎn)品內(nèi)部集成emi濾波器和2kv hbm(人體模型)的esd防護(hù)功能，器件抗擾能力強(qiáng)，可在-40°c至125°c的工業(yè)溫度范圍內(nèi)工作。
這三款新產(chǎn)品還有配套的steval-aetkt1v2板，幫助設(shè)計(jì)人員快速啟動(dòng)使用一款器件的開(kāi)發(fā)項(xiàng)目， 產(chǎn)品上市時(shí)間。tsc2010、tsc2011和tsc2012目前采用mini-so8和so8兩種封裝。
ddr4較以往不同的是改采vddq的終端電阻設(shè)計(jì)，v- 目前計(jì)劃中的傳輸速率進(jìn)展到3，200mbps，比目前高速的ddr3-2133傳輸速率快了50 ，將來(lái)不排除直達(dá)4，266mbps；bank數(shù)也大幅增加到16個(gè)（x4/x8）或8個(gè)（x16/32），這使得采x8設(shè)計(jì)的單一ddr4存儲(chǔ)器模組，容量就可達(dá)到16gb容量。 而ddr4運(yùn)作電壓僅1.2v，比ddr3的1.5v低了至少20 ，也比ddr3l的1.35v還低，更比目前x86 ultrabook/tablet使用的低功耗lp-ddr3的1.25v還要低，再加上ddr4一次支援 省電技術(shù)（deep power down），進(jìn)入休眠模式時(shí)無(wú)須更新存儲(chǔ)器，或僅直接更新dimm上的單一存儲(chǔ)器顆粒，減少35 ~50 的待機(jī)功耗。 回收ti德州儀器封裝QFP芯片回收kingbri封裝SOP20芯片回收MICRON/美光封裝QFP144芯片回收WINBOND華邦發(fā)動(dòng)機(jī)管理芯片回收atheros藍(lán)牙芯片回收ROHM升壓IC 回收INFINEON進(jìn)口新年份芯片回收idesyn聲卡芯片回收Vincotech手機(jī)存儲(chǔ)芯片回收ST意法車(chē)充降壓IC 回收semtech汽車(chē)主控芯片回收maxim網(wǎng)卡芯片回收麗晶微降壓恒溫芯片回收艾瓦特網(wǎng)卡芯片回收toshiba網(wǎng)卡芯片回收海旭芯片回收賽靈思進(jìn)口芯片回收VISHAY手機(jī)存儲(chǔ)芯片回收矽力杰進(jìn)口新年份芯片回收WINBOND華邦MOS管場(chǎng)效應(yīng)管回收Marvell原裝整盤(pán)IC 回收INFINEON汽車(chē)主控芯片回收silergy計(jì)算機(jī)芯片回收NS隔離恒溫電源IC 回收ELITECHIP封裝QFP芯片回收maxim路由器交換器芯片回收PARADE譜瑞觸摸傳感器芯片回收MICRON/美光MOS管場(chǎng)效應(yīng)管回收ST意法封裝QFP144芯片回收飛思卡爾進(jìn)口芯片回收atheros傳感器芯片回收東芝原裝整盤(pán)IC 回收瑞薩DOP封裝芯片回收idesyn穩(wěn)壓器IC 回收ELITECHIP穩(wěn)壓管理IC 回收HOLTEK合泰ADAS處理器芯片回收CJ長(zhǎng)電汽車(chē)主控芯片回收idesyn封裝sot23-5封裝芯片回收silergy降壓恒溫芯片回收韋克威穩(wěn)壓管理IC 回收TAIYO/太誘芯片回收芯成原裝整盤(pán)IC 回收尚途sunto隔離恒溫電源IC 回收idt傳感器芯片回收韋克威進(jìn)口IC 回收東芝電池充電管理芯片回收TAIYO/太誘ADAS處理器芯片回收GENESIS起源微進(jìn)口芯片回收TAIYO/太誘進(jìn)口IC
