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采用flash介質(zhì)時一個需要 考慮的問題是性。對于需要擴展mtbf的系統(tǒng)來說,flash是非常合適的存儲方案?？梢詮膲勖?性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較nor和nand的性。
性
在nand閃存中每個塊的大擦寫次數(shù)是一百萬次,而nor的擦寫次數(shù)是十萬次。nand存儲器除了具有10比1的塊擦除周期勢,典型的nand塊尺寸要比nor器件小8倍,每個nand存儲器塊在給定的時間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。
易于使用
可以非常直接地使用基于nor的閃存,可以像其他存儲器那樣連接,并可以在上面直接運行代碼。
由于需要i/o接口,nand要復雜得多。各種nand器件的存取方法因廠家而異。
在使用nand器件時, 先寫入驅(qū)動程序,才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。向nand器件寫入需要相當?shù)募记?,這就意味著在nand器件上自始至終都 進行虛擬映射。
其他作用
驅(qū)動還用于對diskonchip產(chǎn)品進行仿真和nand閃存的管理,包括糾錯、壞塊處理和損耗平衡。
sram是靜態(tài)（s指的static）ram，靜態(tài)指的不需要刷新電路，數(shù)據(jù)不會丟失，sram速度非?？?，是目前讀寫快的存儲設備了。 dram是動態(tài)ram，動態(tài)指的每隔一段時間就要刷新一次數(shù)據(jù)，才能保存數(shù)據(jù)，速度也比sram慢，不過它還是比的rom都要快。 sdram是同步（s指的是synchronous）dram，同步是指內(nèi)存工作需要同步時鐘，內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準 ddr、ddr2、ddr3都屬于sdram，ddr是double daterate的意思，三種指的是同一系列的三代，速度更快，容量更大，功耗更小，現(xiàn)在出了ddr4，也是同一系列 rom回收semiment全新整盤芯片回收CJ長電聲卡芯片回收LINEAR驅(qū)動IC 回收億盟微封裝QFN進口芯片回收semtech傳感器芯片回收LINEAR觸摸傳感器芯片回收SGMICRO圣邦微ADAS處理器芯片回收TAIYO/太誘穩(wěn)壓管理IC 回收ON封裝TO-220三極管回收toshiba全新整盤芯片回收ELITECHIPBGA芯片回收maxim音頻IC 回收MARVELL音頻IC 回收idt進口IC 回收iwatte/dialog計算機芯片回收ONaurix芯片回收飛思卡爾收音IC 回收賽靈思BGA芯片回收飛利浦aurix芯片回收NSaurix芯片回收PANASONIC開關(guān)電源IC 回收silergy封裝QFN進口芯片回收威世計算機芯片回收NS發(fā)動機管理芯片回收海旭電源管理IC 回收beiling藍牙芯片回收美滿傳感器芯片回收ON穩(wěn)壓管理IC 回收芯成邏輯IC 回收凌特汽車主控芯片回收鑫華微創(chuàng)微控制器芯片回收idesyn驅(qū)動IC 回收SGMICRO圣邦微觸摸傳感器芯片回收艾瓦特ADAS處理器芯片回收HOLTEK合泰MOS管回收東芝封裝sot23-5封裝芯片回收凌特開關(guān)電源IC 回收ROHM網(wǎng)口IC芯片回收羅姆電源監(jiān)控IC 回收fsc仙童封裝TO-220三極管回收羅姆信號放大器