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25小時(shí)在線 158-8973同步7035 可微可電電阻是應(yīng)用于各種電子設(shè)備的多的電阻類型，無論怎樣安裝，維修者都能方便的讀出其阻值，便于檢測和更換。但在實(shí)踐中發(fā)現(xiàn)，有些電阻的排列順序不甚分明，往往容易讀錯(cuò)，在識別時(shí)，可運(yùn)用如下技巧加以判斷：
技巧1：先找標(biāo)志誤差的，從而排定順序。常用的說電阻誤差的顏色是：金、銀、棕，尤其是金環(huán)和銀環(huán)，一般絕少用做電阻的環(huán)，所以在電阻上只要有金環(huán)和銀環(huán)，就可以基本認(rèn)定這是電阻的末一環(huán)。
技巧2：棕是否是誤差標(biāo)志的判別。棕既常用做誤差環(huán)，又常作為 數(shù)字環(huán)，且常常在環(huán)和末一環(huán)中同時(shí)出現(xiàn)，使人很難識別誰是環(huán)。在實(shí)踐中，可以按照之間的間隔加以判別：比如對于一個(gè)五道的電阻而言， 五環(huán)和 四環(huán)之間的間隔比環(huán)和環(huán)之間的間隔要寬一些，據(jù)此可判定的排列順序。
技巧3：在僅靠間距還無法判定順序的情況下，還可以利用電阻的生產(chǎn)序列值來加以判別。比如有一個(gè)電阻的讀序是：棕、黑、黑、黃、棕，其值為：100×10000=1MΩ誤差為1 ，屬于正常的電阻系列值，若是反順序讀：棕、黃、黑、黑、棕，其值為140×1Ω=140Ω，誤差為1 。顯然按照后一種排序所讀出的電阻值，在電阻的生產(chǎn)系列中是沒有的，故后一種順序是不對的。
flash存儲器又成為閃存，它與eeprom都是掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲器，但是flash的存儲容量都普遍的大于eeprom，在存儲控制上，主要的區(qū)別是flash芯片只能一大片一大片地擦除，而eeprom可以單個(gè)字節(jié)擦除。 sram是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。stm32f1系列可以通過fsmc外設(shè)來拓展sram。 注意：sram和sdram是不相同的，sdram是同步動態(tài)隨機(jī)存儲器，同步是指內(nèi)存工作需要同步時(shí)鐘，內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn);動態(tài)是指存儲陣列需要不斷的刷新來數(shù)據(jù)不丟失;隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲，而是自由進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫。stm32的f1系列是不支持sdram的。 SSM6K513NU TB6643KQ(O,8) TB67B001FTG(O,EL) TB67H450FNG IR2101STRPBF IGW60T120 IKW20N60T IKW25N120T2 IPA60R180P7SXKSA1 IPA60R180P7 IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3G LM317LDR2G MMBZ5231BLT1G MAX708ESA-TG FAN6300AMY FAN73711MX FAN7631SJX FSL116LR FSL136MR GD32F103VET6 GD32F103RCT6 GD32F103C8T6
