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采用flash介質(zhì)時一個需要 考慮的問題是性。對于需要擴展mtbf的系統(tǒng)來說,flash是非常合適的存儲方案?？梢詮膲勖?性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較nor和nand的性。
性
在nand閃存中每個塊的大擦寫次數(shù)是一百萬次,而nor的擦寫次數(shù)是十萬次。nand存儲器除了具有10比1的塊擦除周期勢,典型的nand塊尺寸要比nor器件小8倍,每個nand存儲器塊在給定的時間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。
易于使用
可以非常直接地使用基于nor的閃存,可以像其他存儲器那樣連接,并可以在上面直接運行代碼。
由于需要i/o接口,nand要復雜得多。各種nand器件的存取方法因廠家而異。
在使用nand器件時, 先寫入驅(qū)動程序,才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。向nand器件寫入需要相當?shù)募记?,這就意味著在nand器件上自始至終都 進行虛擬映射。
其他作用
驅(qū)動還用于對diskonchip產(chǎn)品進行仿真和nand閃存的管理,包括糾錯、壞塊處理和損耗平衡。
三星與臺積電并列為兩大芯片代工廠，但是卻總是稍遜臺積電。2015年蘋果iphone 6s系列，為了提高新品產(chǎn)能，同時使用了三星14nm和臺積電16nm工藝代工，然而臺積電出產(chǎn)的芯片性能穩(wěn)定，三星的芯片卻兩 分化，部分芯片性能、發(fā)熱均表現(xiàn)，另一些芯片則出現(xiàn)了發(fā)熱翻車的現(xiàn)象。后來蘋果芯片的代工訂單基本都交給了臺積電，三星則與高通簽訂了多年合作協(xié)議。3nm是芯片工藝的新節(jié)點，比5nm、4nm更為重要，三星早前已經(jīng)開始布局，搶在臺積電之前，展出了成品。 NT5TU32M16CG-3C MP2360DG-LF-Z MT48LC16M16A2BG-75IT:D 24LC512T-I/SN XTR115U/2K5 AD8647ARMZ-REEL AD8422ARZ-R7 RT8289GSP TPS23751PWPR ISO1H801G PI5PD2069WEX MAX708TCSA LT1959CR DS1818R-10 RT9108NB ALC888S AOZ8902CIL TL431ACLPR RT9266GE SGM2019-3.3YN5G/T SGM2019-1.8YN5G MC34063A SY8088AA AMS1085CM-3.3