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中芯發(fā)布公告稱，公司就購買用于生產(chǎn)晶圓的阿斯麥產(chǎn)品與阿斯麥集團簽訂購買單，根據(jù)阿斯麥購買單購買的阿斯麥產(chǎn)品定價，阿斯麥購買單的總代價為 1201590 美元。這部分主要為 duv 光刻機。
今日，據(jù)財聯(lián)社，透露，中芯正在努力重新獲得訂單，是其 14nm finfet 工藝訂單。(it之家注：finfet 工藝是指鰭式場效應(yīng)晶體管工藝，該工藝可大幅電路控制并減少漏電流，還可以大幅晶體管的柵長。)it之家了解到，3 月 10 日，據(jù)選股寶，從供應(yīng)鏈獲悉，中芯 14nm 制程工藝產(chǎn)品良率已追平臺積電同等工藝，水準(zhǔn)達約 90 -95 。目前，中芯各制程產(chǎn)能滿載，部分成熟工藝訂單已排至 2022 年。
據(jù)中芯介紹，中芯是的集成電路晶圓代工企業(yè)之一，也是內(nèi)地技術(shù)，配套完善，規(guī)模大，跨國經(jīng)營的集成電路制造企業(yè)。
中芯在上海建有一座 300mm 晶圓廠，一座 200mm 晶圓廠和一座實際控股的 300mm 設(shè)備制程晶圓合資廠;在北京建有一座 300mm 晶圓廠和一座控股的 300mm 晶圓廠;在天津和深圳各建有一座 200mm 晶圓廠;在江陰有一座控股的 300mm 合資廠。
ddr4較以往不同的是改采vddq的終端電阻設(shè)計，v- 目前計劃中的傳輸速率進展到3，200mbps，比目前高速的ddr3-2133傳輸速率快了50 ，將來不排除直達4，266mbps；bank數(shù)也大幅增加到16個（x4/x8）或8個（x16/32），這使得采x8設(shè)計的單一ddr4存儲器模組，容量就可達到16gb容量。 而ddr4運作電壓僅1.2v，比ddr3的1.5v低了至少20 ，也比ddr3l的1.35v還低，更比目前x86 ultrabook/tablet使用的低功耗lp-ddr3的1.25v還要低，再加上ddr4一次支援 省電技術(shù)（deep power down），進入休眠模式時無須更新存儲器，或僅直接更新dimm上的單一存儲器顆粒，減少35 ~50 的待機功耗。 TLP7820(TP4,E(O TC4424AVPA FP75R12KT3 AD5228BUJZ10-RL7 AD5259BRMZ10-R7 AD5162BRMZ10 AD7691BRMZ ADS7822E/2K5 ADG704BRMZ ADE7953ACPZ ADG884BRMZ SY7301AADC SY8009BABC OB2225NCPA OB3330XCPA OB3636AMP SY8201ABC SY8113IADC SY6301DSC SGM2019-ADJYN5G/TR SGM4917AYTQ16G/TR SY8089A1AAC SY7208CABC SY7072AABC SGM9114YN6G/TR SGM9113YC5G