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25小時在線 158-8973同步7035 可微可電 ,當前芯片產能緊張的狀況將進一步擴大,已經影響到了高通公司向三星供貨。根據(jù),芯片短缺不僅影響到了中低端芯片,高通向三星 galaxy s21 系列手機供應驍龍 888 soc 的能力也受到了。目前尚未知曉高通產能受影響的程度,但高通仍有信心實現(xiàn)季度的銷售目標。
高通說,“將先 soc 芯片的供應,而不是的入門級芯片?！庇幸患也辉竿嘎睹Q的手機制造商說,由于高通公司一系列芯片皆供應緊張,因此不得不削減智能手機的產能。
,小米盧偉冰此前也說,目前智能手機的芯片是 度短缺的。高通即將上任的 ceo cristiano amon 說,目前芯片供少于求的狀況原因之一的美國對華為的,導致手機廠商(如)不得不選擇其它公司的芯片。
除了手機 soc 這種高附加值芯片,目前電阻、電容、二 管等基礎元器件也面臨著不同程度的漲價,進一步提高了廠商的壓力。
隨著采用傳統(tǒng)2d平面制程技術的nand flash即將nand flash大廠紛紛開始采用3d堆疊制程技術來增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆疊nand設計概念，同年samsung也發(fā)表stacked nand堆疊式快閃存儲器，2007年東芝發(fā)表bics，2009年東芝發(fā)表p-bics、三星發(fā)表tcat、vg-nand與vsat，2010年旺宏發(fā)表vg tft，2011發(fā)表pnvg tft，同年hynix也發(fā)表hybrid 3d技術。2010年vlsi研討會，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技術裝置的vg（垂直閘） 3d nand技術。預計2012年進入55nm制程，2013年進入36nm制程，2015年進入2xnm制程，制程進度落后其他大廠甚多。 三星（samsung）同樣于2006年發(fā)表stacked nand，2009年進一步發(fā)表垂直通道tcat與水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星發(fā)布名為v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技術和垂直堆疊單元結構，單一芯片可以集結、堆疊出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多兩倍，性、寫入速度也比20nm制程nand flash還高。三星目前在3d-nand flash應用進度其他業(yè)者，v-nand制造基地將以韓國廠與新設立的西安廠為主。其v-nand目標直接揮軍伺服器等級固態(tài)硬碟，從2013年 四季開始，陸續(xù)送樣給伺服器業(yè)者或是資料 制造商進行測試。 AO4601 AO4613 AO4627 AO4629 AO4922 AO4924 FDS5692Z FDS3512 FDS7766S FDS7766 FDS6994S FDS8882 FDS6892AZ FDS6680S Si2343DS-T1-E3 Si2333CDS-T1-GE3 Si2319CDS-T1-GE3 Si2312CDS-T1-GE3 SI2307CDS-T1-GE3 Si2305CDS-T1-GE3 Si2303CDS-T1-GE3 SI2303CDS-T1-E3 HMC481MP86E MP2130DG-C423-LF-Z MSA-0486-TR1G NTMFS4119NT1G NJM4580CG-TE2 NTMFS4C09NAT1G NTV1215MC IRFH7936TRPBF TLV61220DBVR