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當今的算法主要是軟硬件算法兩大路徑：使用cpu來驅動算法，雖然部署簡便，但由于cpu發(fā)展面臨瓶頸，時延難以突破，因此缺乏市場競爭力，硬件算法方式需要開發(fā)商基于it系統(tǒng)進行設計和架構，雖然因一定程度解決時延問題具備較強的競爭力，但成本高且交付周期長，潛在風險大；而從軟件算法轉換成硬件方式，門檻則非常高。
如何困擾當今眾多廠商面臨的這些挑戰(zhàn)、幫助客戶無需硬件開發(fā)就可以達到微秒級的低時延要求？
賽靈思推出的 alveo smartnic sn1000加速卡就是這樣一個開箱即用的加速算法解決方案。
2×100gb的alveo sn1000是業(yè)界硬件可組合式smartnic，符合數(shù)據(jù) 封裝的尺寸需求，而功耗僅為75瓦。sn1000采用16核nxp arm soc構建，ultrascale+ fpga架構、arm的子系統(tǒng)以及可編程的viits networking等特性，可滿足市場不斷變化的需求。
由于預行了硬件加速，sn1000 smartnic稍加配置即可對遠程存儲、nvme或其他流量以及安和防火墻進行加速，實現(xiàn)了開箱即用、即插即用，同時維持相關性能不變。
sn1000 的另一個特性是，可以非常方便地移除預制某些功能，然后基于其統(tǒng)一軟件平臺vitis新打造的vitis networking，使用類似p4這樣的語言對數(shù)據(jù)面進行編程，也可以使用c和c++的語言對于arm進行控制和流量的管理，滿足客戶自認為非常重要的應用領域。無論是配置還是加速，均可由賽靈思或客戶來實現(xiàn)，亦可由客戶的客戶或 的軟件和ip合作伙伴來實現(xiàn)。這體現(xiàn)了賽靈思所提供的的可編程的靈。
flash和eeprom的大區(qū)別是flash按扇區(qū)操作，eeprom則按字節(jié)操作，二者尋址方法不同，存儲單元的結構也不同，flash的電路結構較簡單，同樣容量占芯片面積較小，成本自然比eeprom低，因而適合用作程序存儲器，eeprom則 的用作非易失的數(shù)據(jù)存儲器。當然用flash做數(shù)據(jù)存儲器也行，但操作比eeprom麻煩的多，所以更“人性化”的mcu設計會集成flash和eeprom兩種非易失性存儲器，而廉價型設計往往只有flash，早期可電擦寫型mcu則都是eeprm結構，現(xiàn)在已基本上停產了?，F(xiàn)在的單片機,ram主要是做運行時數(shù)據(jù)存儲器,flash主要是程序存儲器,eeprom主要是用以在程序運行保存一些需要掉電不丟失的數(shù)據(jù). 1、ram rom和ram指的都是半導體存儲器，rom是read only memory的縮寫，ram是random access memory的縮寫。rom在系統(tǒng)停止供電的時候仍然可以保持數(shù)據(jù)，而ram通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的ram就是計算機的內存。 sram和dram區(qū)別ram有兩大類：ADS1246IPWR TS5A4624DCKT TS5A4624DCKR TS5A3157DBVR TS5A3159ADBVT TS5A9411DCKT LMP8645HVMKE/NOPB INA168NA/3K TPS22944DCKR LM2664M6X/NOPB TPS22904YFPT TPS2559DRCR TPS22944DCKR LPC1112FHN33/102 LPC1343FHN33 FSEZ1317MY LMH6643MAX AD7541AKR HEF4013BP ADM213EARSZ LTC7510EUH NCP6336BFCCT1G