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采用flash介質(zhì)時(shí)一個(gè)需要 考慮的問題是性。對(duì)于需要擴(kuò)展mtbf的系統(tǒng)來說,flash是非常合適的存儲(chǔ)方案?？梢詮膲勖?性)、位交換和壞塊處理三個(gè)方面來比較nor和nand的性。
性
在nand閃存中每個(gè)塊的大擦寫次數(shù)是一百萬次,而nor的擦寫次數(shù)是十萬次。nand存儲(chǔ)器除了具有10比1的塊擦除周期勢,典型的nand塊尺寸要比nor器件小8倍,每個(gè)nand存儲(chǔ)器塊在給定的時(shí)間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。
易于使用
可以非常直接地使用基于nor的閃存,可以像其他存儲(chǔ)器那樣連接,并可以在上面直接運(yùn)行代碼。
由于需要i/o接口,nand要復(fù)雜得多。各種nand器件的存取方法因廠家而異。
在使用nand器件時(shí), 先寫入驅(qū)動(dòng)程序,才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。向nand器件寫入需要相當(dāng)?shù)募记?,這就意味著在nand器件上自始至終都 進(jìn)行虛擬映射。
其他作用
驅(qū)動(dòng)還用于對(duì)diskonchip產(chǎn)品進(jìn)行仿真和nand閃存的管理,包括糾錯(cuò)、壞塊處理和損耗平衡。
高功率應(yīng)用興起帶來的挑戰(zhàn)們 滿足工業(yè)動(dòng)力驅(qū)動(dòng)或電動(dòng)汽車不斷增長的功率需求。伺服電動(dòng)機(jī)或洗衣機(jī)中的工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器已經(jīng)開始普及。處理功率超過3千瓦的通用逆變器（gpi）越來越普遍。而且，電動(dòng)汽車開始采用高壓電池（從400伏到800伏，甚至更高），從而為hvac使用新的功率拓?fù)浯蛲嘶A(chǔ)。 傳統(tǒng)上，會(huì)利用一個(gè)智能功率模塊，該模塊主要將igbt和二 管與下橋和上橋柵 驅(qū)動(dòng)器結(jié)合在一起。這樣的集成器件簡化了pcb布局，占用了更少的空間，提高了性，提高了效率，并縮短了上市時(shí)間。然而，當(dāng)今市場上幾乎沒有針對(duì)在新型高壓電池上運(yùn)行的ipm產(chǎn)品。同樣，只有少數(shù)ipm應(yīng)用于中高功率工業(yè)平臺(tái)。因此，例如用于hvac或伺服電動(dòng)機(jī)的壓縮機(jī)的ipm將是復(fù)雜且昂貴的。 回收飛利浦網(wǎng)卡芯片回收ST意法進(jìn)口新年份芯片回收亞德諾MOS管場效應(yīng)管回收ti德州儀器電池充電管理芯片回收LINEAR芯片回收silergy汽車電腦板芯片回收凌特手機(jī)存儲(chǔ)芯片回收NIKO-SEM尼克森電池充電管理芯片回收kingbri進(jìn)口新年份芯片回收WINBOND華邦WIFI芯片回收TOSHIBA汽車電腦板芯片回收麗晶微傳感器芯片回收韋克威開關(guān)電源IC 回收羅姆聲卡芯片回收英飛凌傳感器芯片回收idt音頻IC 回收艾瓦特電源管理IC 回收麗晶微BGA芯片回收Vincotech電源管理IC 回收艾瓦特封裝TO-220三極管回收飛利浦聲卡芯片回收maxim傳感器芯片回收亞德諾藍(lán)牙芯片回收威世MOS管場效應(yīng)管回收亞德諾發(fā)動(dòng)機(jī)管理芯片回收瑞昱封裝QFP144芯片回收ATMLE進(jìn)口新年份芯片回收HOLTEK合泰BGA芯片回收NIKO-SEM尼克森全新整盤芯片回收VISHAY聲卡芯片回收SAMSUNG收音IC 回收瑞昱封裝TO-220三極管回收idesyn收音IC 回收GENESIS起源微穩(wěn)壓管理IC 回收Vincotech穩(wěn)壓管理IC 回收飛思卡爾MOS管回收idt電池充電管理芯片回收kerost進(jìn)口新年份芯片回收GENESIS起源微MCU電源IC 回收kerost升壓IC 回收toshiba封裝sot23-5封裝芯片回收GENESIS起源微WIFI芯片回收飛思卡爾MCU電源IC 回收silergy芯片回收艾瓦特信號(hào)放大器回收arvin微控制器芯片
