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25小時在線 158-8973同步7035 可微可電當(dāng)前芯片產(chǎn)能緊張的狀況將進一步擴大，已經(jīng)影響到了高通公司向三星供貨。根據(jù)，芯片短缺不僅影響到了中低端芯片，高通向三星 galaxy s21 系列手機供應(yīng)驍龍 888 soc 的能力也受到了。目前尚未知曉高通產(chǎn)能受影響的程度，但高通仍有信心實現(xiàn)季度的銷售目標(biāo)。
高通說，“將先 soc 芯片的供應(yīng)，而不是的入門級芯片?！庇幸患也辉竿嘎睹Q的手機制造商說，由于高通公司一系列芯片皆供應(yīng)緊張，因此不得不削減智能手機的產(chǎn)能。
it之家獲悉，小米盧偉冰此前也說，目前智能手機的芯片是 度短缺的。高通即將上任的 ceo cristiano amon 說，目前芯片供大于求的狀況原因之一的美國對華為的，導(dǎo)致手機廠商不得不選擇高通等公司的芯片。
除了手機 soc 這種高附加值芯片，目前電阻、電容、二 管等基礎(chǔ)元器件也面臨著不同程度的漲價，進一步提高了廠商的壓力。
東芝（toshiba）以2009年開發(fā)的bics—3d nand flash技術(shù)，從2014年季起開始小量試產(chǎn)，目標(biāo)在2015年前順利銜接現(xiàn)有1y、1z 技術(shù)的flash產(chǎn)品。為了后續(xù)3d nand flash的量產(chǎn)鋪路，東芝與新帝（sandisk）合資的日本三重縣四日市晶圓廠，期工程擴建計劃預(yù)計2014年q3完工，q3順利進入規(guī)?；a(chǎn)。而sk海力士與美光（micron）、英特爾（intel）陣營，也明確宣告各自3d nand flash的藍(lán)圖將接棒16 ，計劃于2014年q2送樣測試，快于年底量產(chǎn)。 由于3d nand flash存儲器的制造步驟、工序以及生產(chǎn)良率的提升，要比以往2d平面nand flash需要更長時間，且在應(yīng)用端與主芯片及系統(tǒng)整合的驗證流程上也相當(dāng)耗時，故初期3d nand flash芯片將以少量生產(chǎn)為主，對整個移動設(shè)備與儲存市場上的替代效應(yīng)，在明年底以前應(yīng)該還看不到。 ADM6823TYRJZ ADM6823SYRJZ AD8665ARJZ ATF-52189 MIC5265-3.0YD5 RT6258BGQUF ADG608BRUZ AD8014ARTZ ADG719BRMZ ADG819BRMZ AD7942BCPZ AD7982BCPZ ADG419BRZ AD8029AKSZ-REEL7 AD8591ARTZ AD8561ARU-REEL AGB3307S24Q1 AD8651ARMZ AD8617ARMZ AD8519AKSZ-REEL7 MAX4490AXK-T ADP2384ACPZN CY7C1248KV18-450BZXC CY7C1264XV18-450BZXC CY7C1423KV18-300BZXC