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采用flash介質(zhì)時一個需要 考慮的問題是性。對于需要擴展mtbf的系統(tǒng)來說,flash是非常合適的存儲方案?？梢詮膲勖?性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較nor和nand的性。
性
在nand閃存中每個塊的大擦寫次數(shù)是一百萬次,而nor的擦寫次數(shù)是十萬次。nand存儲器除了具有10比1的塊擦除周期勢,典型的nand塊尺寸要比nor器件小8倍,每個nand存儲器塊在給定的時間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。
易于使用
可以非常直接地使用基于nor的閃存,可以像其他存儲器那樣連接,并可以在上面直接運行代碼。
由于需要i/o接口,nand要復雜得多。各種nand器件的存取方法因廠家而異。
在使用nand器件時, 先寫入驅(qū)動程序,才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。向nand器件寫入需要相當?shù)募记?,這就意味著在nand器件上自始至終都 進行虛擬映射。
其他作用
驅(qū)動還用于對diskonchip產(chǎn)品進行仿真和nand閃存的管理,包括糾錯、壞塊處理和損耗平衡。
這種改進型的ram和sdram是基本一樣的，不同之處在于它可以在一個時鐘讀寫兩次數(shù)據(jù)，這樣就使得數(shù)據(jù)傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得多的內(nèi)存，而且它有著成本勢，事實上擊敗了intel的另外一種內(nèi)存標準－rambus dram。在很多的顯卡上，也配備了高速ddr ram來提高帶寬，這可以大幅度提高3d加速卡的像素渲染能力?；厥誖OHM進口芯片回收ON邏輯IC 回收idesyn信號放大器回收iwatte/dialog音頻IC 回收semtechSOP封裝IC 回收TOSHIBA進口新年份芯片回收TAIYO/太誘封裝SOP20芯片回收adiMOS管場效應管回收安森美路由器交換器芯片回收Vincotech封裝TO-220三極管回收VISHAY升壓IC 回收SAMSUNG車充降壓IC 回收beiling發(fā)動機管理芯片回收鑫華微創(chuàng)收音IC 回收MARVELLMOS管場效應管回收NS封裝TO-220三極管回收SGMICRO圣邦微微控制器芯片回收maxim封裝SOP20芯片回收INFINEON發(fā)動機管理芯片回收GENESIS起源微穩(wěn)壓器IC 回收semiment穩(wěn)壓管理IC 回收ncsWIFI芯片回收CJ長電芯片回收semiment網(wǎng)卡芯片回收亞德諾封裝TO-220三極管回收SAMSUNG傳感器芯片回收TAIYO/太誘信號放大器回收PARADE譜瑞穩(wěn)壓器IC 回收美滿MCU電源IC 回收鑫華微創(chuàng)封裝QFN進口芯片回收SAMSUNG微控制器芯片回收ATMLEaurix芯片回收韋克威aurix芯片回收LINEAR降壓恒溫芯片回收瑞薩原裝整盤IC 回收ST意法封裝QFP芯片回收東芝封裝QFP芯片回收adiDOP封裝芯片回收ELITECHIP封裝SOP20芯片回收億盟微藍牙芯片回收松下音頻IC 回收MICRON/美光SOP封裝IC 回收kerost開關電源IC 回收亞德諾邏輯IC 回收infineonDOP封裝芯片回收kerost發(fā)動機管理芯片回收愛特梅爾信號放大器回收NIKO-SEM尼克森收音IC 回收idesynBGA芯片