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采用flash介質(zhì)時(shí)一個(gè)需要 考慮的問題是性。對(duì)于需要擴(kuò)展mtbf的系統(tǒng)來說,flash是非常合適的存儲(chǔ)方案?？梢詮膲勖?性)、位交換和壞塊處理三個(gè)方面來比較nor和nand的性。
性
在nand閃存中每個(gè)塊的大擦寫次數(shù)是一百萬次,而nor的擦寫次數(shù)是十萬次。nand存儲(chǔ)器除了具有10比1的塊擦除周期勢(shì),典型的nand塊尺寸要比nor器件小8倍,每個(gè)nand存儲(chǔ)器塊在給定的時(shí)間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。
易于使用
可以非常直接地使用基于nor的閃存,可以像其他存儲(chǔ)器那樣連接,并可以在上面直接運(yùn)行代碼。
由于需要i/o接口,nand要復(fù)雜得多。各種nand器件的存取方法因廠家而異。
在使用nand器件時(shí), 先寫入驅(qū)動(dòng)程序,才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。向nand器件寫入需要相當(dāng)?shù)募记?,這就意味著在nand器件上自始至終都 進(jìn)行虛擬映射。
其他作用
驅(qū)動(dòng)還用于對(duì)diskonchip產(chǎn)品進(jìn)行仿真和nand閃存的管理,包括糾錯(cuò)、壞塊處理和損耗平衡。
英特爾將分別把ddr4規(guī)格導(dǎo)入伺服器／工作站平臺(tái)，以及桌上型電腦平臺(tái)（high-end desktop；hedt）。前者是伺服器處理器xeon e5-2600處理器（代號(hào)haswell-ep），搭配的ddr4存儲(chǔ)器為2，133mbps（ddr4-2133）；后者則是預(yù)定 三季推出的8intel core i7 extreme edition處理器，同樣搭配ddr4-2133存儲(chǔ)器，以及支援14組usb 3.0、10組sata6gbps的x99芯片組，成為2014 4季至2015年上半年英特爾的桌上型電腦平臺(tái)組合。 而超微（amd）下一代apu（代號(hào)carrizo）已至2015年登場(chǎng)，但其存儲(chǔ)器支援性仍停留在ddr3。至于移動(dòng)設(shè)備部份，安謀（arm）針對(duì)伺服器市場(chǎng)打造的64位元cortex-a57處理器，已預(yù)留對(duì)ddr4存儲(chǔ)器支援，而 三方ip供應(yīng)商也提供了相關(guān)的ddr4 phy ip。 三星于2013年底量產(chǎn)20 制程的4gb存儲(chǔ)器顆粒，將32gb的存儲(chǔ)器推向伺服器市場(chǎng)；2014年1月推出移動(dòng)設(shè)備用的低功耗ddr4（lp-ddr4）。sk海力士在2014年4月借助矽鉆孔（tsv）技術(shù)，開發(fā)出單一ddr4芯片外觀、容量達(dá)128gb。市場(chǎng)預(yù)料ddr4將與ddr3（ddr3l、lp-ddr3）等共存一段時(shí)間，預(yù)計(jì)到2016年才會(huì)ddr3而成為市場(chǎng)主流。 LM2904VQDRQ1 TLV4314QPWRQ1 TL343IDBVR LM393DGKR TPS51916RUKT TPS2543RTER TPS62130AQRGTRQ1 TPS61096ADSSR TPD4S010DQAR LM337LM/NOPB SN74LVC1T45QDCKRQ1 TXS0102YZPR TPS54225PWP INA193AMDBVREP TPS259270DRCR SN65HVD1050DR TPS259530DSGR TL343IDBVT AM26LV32IDR ISO7321CDR SN74LVC1T45DRLR ISO7221BDR CSD18532Q5B TS3USB221ERSER
